请教工艺中的 FUSE制程

你说的应该是芯片上面的钝化层吧？metal fuse或poly上面的氧化层是必须有的，要不，金属还没有编程就全部氧化掉了。只是在fuse上面加pad opening 去掉钝化层。方便散热以及污染物逸出。metal fuse和poly fuse要求的电流脉冲时间不一样。由于poly的熔点比metal的高，所有要求电流脉冲的上升时间极短，让瞬间的电流烧断poly。

字面意思直译就可以，金属刻蚀，poly刻蚀，氧化物刻蚀。具体工艺条件无法回答，只能简单的说，这3中刻蚀在半导体行业都是干法刻蚀，也就是dry etch。主要区别在于所有的刻蚀气体不一样，比如，金属刻蚀用CL2，氧化物刻蚀用C4F6，C5F8。

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