
有以下共同特点:
1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间
2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。
3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。
最早的半导体材料以硅(包括锗)为主。随着信息发展,人们需求的增加,出现了以砷化镓(GaAs)等为代表的半导体材料,算是第二代半导体材料吧。
现主要的半导体材料有金属氧化物(LDMOS),碳化硅(SiC)和硅(Si)基做基底的氮化物。SiC是在历史上研究得较早的一种半导体,但由于它的晶相很多,单晶生长困难,成本高。氮化镓是最早被利用的、并且研究得最充分的第三代半导体。它有很强的键强度,决定了它的材料强度大,耐高温,耐缺陷,不易退化,在器件应用上有很多优点。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。
2。半导体常用的钝化层:
第一类钝化膜是与制造器件的单晶硅材料直接接触的。其作用在于控制和稳定半导体表面的电学性质,控制固定正电荷和降低表面复合速度,使器件稳定工作。
第二类钝化膜通常是制作氧化层、金属互连布线上面的,它应是能保护和稳定半导体器件芯片的介质薄膜,需具有隔离并为金属互连和端点金属化提供机械保护作用,它既是杂质离子的壁垒,又使器件表面具有良好的力学性能。
钝化层是钝化的那部分。钝化是使金属表面转化为不易被氧化的状态,而延缓金属的腐蚀速度的方法。
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