新加坡stm公司简介

新加坡stm公司简介,第1张

1,STM即为意法半导体集团在1987年6月由意大利的Società Generale Semiconduttori (SGS) Microelettronica与法国汤姆逊(Thomson)公司的半导体分部Thomson Semiconducteurs两家半导体公司合并而成,该公司自1998年5月汤姆逊撤股后由SGS-THOMSON更名为意法半导体(STMicroelectronics)。

2,Thomson Semiconducteurs通过以下公司的合并于1982年组成:法国电子公司汤姆逊的半导体机构由某些德州仪器的创办人于1969年创立的美国公司MostekSile,于1977年创立Eurotechnique于1979年在法国隆河口省Rousset创立,是法国公司圣戈班与美国公司美国国家半导体的合资公司EFCIS,于1977年创立SESCOSEM,于1969年创立以SGS-THOMSON与意法半导体运作期间该公司曾通过获得以下公司来参与巩固半导体产业:1989年自其母公司Thorn EMI手中收购因transputer微处理器而知名的英国公司Inmos1994年收购加拿大北电网络的半导体机构2002年取得阿尔卡特的微电子部门并连同合并如英国Synad科技有限公司等小型企业,有助于意法半导体拓展无线网络新加坡宏茂桥6,000名雇员1970年SGS在新加坡大巴窑区开设首个后端装配厂,后来在1981年SGS决定在新加坡兴建晶圆加工厂。

简介:苏州住矿电子有限公司 企业介绍

住友集团是全球五百强企业之一,凭借着良好的集团文化和战略眼光,其市场涉及到18个不同领域,住友金属矿山在400多年前成立的,住矿亚太集团自1977年在新加坡成立,住矿包装材料集团于2002年正式成立.住矿电子是住友集团的成员之一,苏州住矿电子有限公司(SES)系日商独资高新科技企业,位于工业园区三区龙潭路,主营引线框架类半导体封装材料及精密模具的开发、设计、生产铅合金柱加工,引线框架是半导体封装的重要材料.公司一二期均已开工,苏州住矿目前以生产高端(高脚数)引线框架为主。销售本公司产品并提供售后服务;从事本公司生产产品的同类商品的进口业务,并且工艺技术能力在国内居领先水平。我们热诚欢迎各地英才加盟我们公司.

联系方式:

以上人员均需会普通话、熟悉电脑 *** 作,有良好的英语听说读写能力,具团队合作精神。请有意者速将中英文个人简历(务必注明应聘职位、要求薪水)

(1)发送至电子邮箱SES_HR@sumiko.com.cn,请勿用附件形式发送.或(2)邮寄:“215021苏州市工业园区三区龙潭路123号 SES苏州住矿电子 收”。请在信封上注明应聘职位,拒访。

地址:苏州工业园区三区龙潭路123号

邮编:215126

EMAIL:SES_HR@sumiko.com.cn

法定代表人:洪全成

成立日期:2003-03-27

注册资本:2500万美元

所属地区:江苏省

统一社会信用代码:91320594747307756U

经营状态:在业

所属行业:制造业

公司类型:有限责任公司(外国法人独资)

英文名:SH Electronics Suzhou Co.,Ltd.

人员规模:100-500人

企业地址:苏州工业园区龙潭路123号

经营范围:引线框架类半导体封装材料和精密模具的开发、设计、生产销售本公司产品并提供售后服务从事本公司生产产品的同类商品的进口业务(不涉及国营贸易管理产品,涉及配额、许可证管理商品的,按国家有关规定办理申请)自有多余厂房租赁(非主营业务,仅限于集团内部企业或关联企业)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

纯氮气是半导体工业不可缺少的原料气和保护气

纯氩气在单晶硅的拉制,半导体、大规模集成电路生产中是必要的

高纯氦主要用于半导体器件的生产

电子气体 (E lect ron icga ses) 半导体工业用的气体统称电子气体.按其门类可分为纯气,高纯气和半导体特殊材料气体三大类.特殊材料气体主要用于外延,掺杂和蚀刻工艺高纯气体主要用作稀释气和运载气.电子气体是特种气体的一个重要分支.电子气体按纯度等级和使用场合,可分为电子级,L S I(大规模集成电路)级,VL S I(超大规模集成电路)级和U L S I(特大规模集成电路)级.

掺杂气体(Dopant Gases) 在半导体器件和集成电路制造中,将某种或某些杂质掺入半导体材料内,以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率,用来制造PN结,电阻,埋层等.掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体.主要包括砷烷,磷烷,三氟化磷,五氟化磷,三氟化砷,五氟化砷,三氯化硼和乙硼烷等.通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合,混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周,在晶片表面沉积上化合物掺杂剂,进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅.


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