半导体两个界面接触的势垒问题

功函数的差别是基本因素。不同材料（甚至液体-固体，液体-液体）之间的接触势垒都可以根据其功函数差来确定。

半导体的功函数是Fermi能级与真空自由电子能级的差，同一种半导体的p型材料与n型材料接触时，因为n型半导体的功函数小于p型半导体，所以电子将向p型一边转移....形成pn结势垒。

对于同一种材料（譬如n型Si和p型Si），也可以由载流子浓度的差别来考虑，但是最基本的还是功函数差。

但是，对于不同种类半导体的接触，不管它们之间的载流子浓度差别有多大，也必须由功函数差来确定其势垒；这时就有可能电子从浓度低的一边转移到浓度高的一边。

钝化: 1.在半导体表面上生成一层能促进电性能稳定的氧化层,通常将晶体管表面与周围电的和化学的条件相隔离,以减少反向漏电流,提高击穿电压,增加功耗的定额 2.金属经强氧化剂或电化学方法氧化处理,使呈钝状的过程 3.催化剂、血清等活性的破坏。 有一种蛋白质（酶）能够灭火血清活性（部分）称为血清灭活酶或者钝化酶，将这种物质按一定比例加入血清就可以起到钝化作用。另外钝化的方式也有别的，比如温度，低温也可以达到钝化效果（-70摄氏度）等。总之目的都是灭火活性。 提点自己的看法： 1 所谓血清钝化是指血清的稳定化处理，经相应钝化处理后的血清中的某一类物质相对稳定。 2 血清钝化经常用于某些特种蛋白的分析前处理，此时向血清中添加蛋白质水解酶抑制剂（如抑肽酶），从而使血清中待测的特种蛋白不被相应的酶水解。

问题一：动力室外加电场，这冒失与热激发无关吧。不管是N还是P能到导电的原因都是有电场。

问题二：这是一个动态平衡的关系，当有扩散的时候由于内建电场的关系，使载流子恢复到以前，所以宏观不是个稳态。

问题三：如果是这种情况 是否从N型到P型填补空穴的电子都是被激发的自由电子 它们到P型中只是和空穴复合 复合后空穴是消失的 随即就是空穴和电子的数量同时减少这个理解是不正确的正如我问题而所说的一样

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