
首先,eeprom是电可擦除储存器,可以用来储存单片机的数据,也就是数据储存的功能。它的特点是掉电数据不丢失,可以用于记录单片机使用次数,或者接着上次单片机的数据继续运算等应用。eeprom分片内和片外两种,你没提到是哪种,我就多说明一下。片外eeprom是真正的eeprom,型号也很多,为独立的芯片存在,一般使用iic协议与单片机通讯。片外eeprom的好处可以两个单片机共享同一数据,但是用iic访问有些繁琐。片内eeprom是指集成在单片机内部的eeprom,好处就是不用额外搭什么电路就能使用eeprom功能,并且由于片内eeprom可直接访问,因此速度比片外快。但是片内eeprom不一定是真的eeprom。比如stc的片内eeprom是用flash通过iap技术实现的eeprom功能。flash和eeprom在其他方面功能都一样,只是在擦除的时候,eeprom能擦除单个数据,而flash只能擦除整个扇区。
FLASH程序存储器存程序,单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。
SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方,一般不太大,从128字节到几K字节都有,一掉电数据就没了。
EEPROM是掉电也不丢数据的存储器,一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0。但这片一般是按扇区为单位,一擦除就是全成1。
STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。
扩展资料:
特点:
EEPROM可单字节 *** 作更灵活,FLASH存储量更大些FLASH:只能块擦除(叫块擦除更准确吧,原文是BLOCK),举例说明:比如你用的FLASH的BLOCK是512个字节(不同的FLASH大小不同),那么只有擦除过(所有位写“1”)的BLOCK才能重新写入。
意思就是只能从“1”写到“0”,如果要从“0”改到“1”必须整块擦除,而且擦除时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节 *** 作,没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。
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