半导体漂移扩散模型中，n是电子浓度，n_d是掺杂浓度，n是不是远远大于n_d啊？

不，一般载流子浓度约等于掺杂浓度，因为掺杂的目的就是提高载流子浓度，比如Si，ni大约10^10，ND大约10^15，因为掺杂浓度很低没有意义，这样得到的电子浓度就约等于ND了，一般ND是施主能级，如果Si作为半导体材料的话，P（磷）就是施主，（化学元素周期表可知）。每一个P（磷）提供1个电子，所以ND与N是大约相等的。欢迎追问，请采纳。

就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。

轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的，因为轻重掺杂的费米能级不一样，所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现功能。

扩展资料：

半导体的特性：

1，半导体的电阻率随温度上升而明显下降，呈负温度系数的特性，半导体的导电能力随温度的增高而显著增强，有些半导体对温度的反映特别的灵敏，通常利用这种半导体做成热敏元件。

2，十导体的电阻率随光照的不同而改变-半导体的导电能力随光照强度的变化而变化；有些半导体当光照强度很大时变化很大，例如硫化镉薄膜，当无光照时，它的电阻达到几十兆欧姆，是绝缘体；而受到光照时，其电阻只有几十千欧姆。利用半导体的这种特性，我们可以做成各种光敏元件。

3，半导体的电阻率与所含微量杂质的浓度有很大关系，如果在纯净的半导体中掺人微量的其他元素(通常称作掺杂)，半导体的导电能力会随着掺杂浓度的变化而发生显著的变化。

处于平衡态的非简并半导体中施主浓度为ND。

半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

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