均匀掺杂的半导体什么意思

掺杂（英语：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为简并半导体。

Ef本身和温度有关，看图是热平衡状态下，书上有Ef关于T的图，只有在低温弱电离区Ef会有向上再向下的变化，其余情况都是与T成反比，至于你说的n0增大看Ef是离导带近前提是T不变，T增大，导带底有效状态密度增大，可以从供求关系来理解，打字不易，希望有益

半导体的杂质对半导体的物理性质的影响，主要影响是自由电子和空穴数量的精确控制。简单说，杂质越多，说明物理材料中的自由电子和空穴精确控制就越差，差可以导致两个物理指标下降：1.杂散电流随环境温度增加而增加；2.PN结的耐压程度和温度系数变劣。

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