
n-type和p-type半导体区别为:是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。
一、是多数载流子不同
1、n-type半导体:n-type半导体的多数载流子是电子。
2、p-type半导体:p-type半导体的多数载流子是空穴。
二、高温导电效果不同
1、n-type半导体:在相同高温温度下,n-type半导体的电子更活跃,导电效果比p-type半导体的导电效果要好。
2、p-type半导体:在相同高温温度下,p-type半导体的电子更惰性,导电效果比n-type半导体的导电效果要差。
三、常温电导率不同
1、n-type半导体:在相同常温温度下,n-type半导体的电子更惰性,电导率比p-type半导体的电导率要差。
2、p-type半导体:在相同常温温度下,p-type半导体的电子更活跃,电导率比n-type半导体的电导率要好。
按结构看。异质结的能级匹配有多种类型,其中type-II型的能级匹配被认为是一种理想的异质结界面,按结构看,可以将type1和2型进行区分,能够有效地实现电子-空穴分离,从而提升其实际应用价值。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表(0条)