LTE中RB和PRB是同一个概念吗

RB（RESOURCEBLOCK）有两个概念：VRB和PRB（PHYSICAL RESOURCEBLOCK）。VRB是虚拟的RB，mac层在分配资源的时候，是按VRB来分配的，然后VRB再映射到PRB。VRB映射到PRB也有两种映射方式：分布式和集中式。集中式VRB和PRB是一一对应的关系，分布式的VRB 映射到PRB需要先交织，然后再按照一定的规则映射到实际的PRB位置。

RB是UE和UTRAN之间的连接格式集，就是UU口L1、L2的格式问题，即物理信道、传输信道、逻辑信道的配置问题。如果没有业务，RB是不需要的，因此如果要在CN/URTRN和UE之间传信令，只要有RRC连接即可（实际上也有无线承载，即SRB），但只要有业务，就必须配置RB，同样，必须配置Iub承载（只要有DCH就必须去配置DCH FP的承载，同RL一样）。

至于SRB，其实就是RB，也是RLC提供的服务，只不过他们用来承载控制面的控制消息，为了区别于RB而称为SRB。RB是RNC和UE的无线链路承载（Radio Bear），先RNC与NodeB之间的透明直传（direct transfer），再NodeB和UE之间传输。

syliu(站内联系TA)石墨烯的特点是价带和导带之间没有带隙，所以费米能级从大于零变成小于零，对应于从电子的量子霍尔效应变成空穴的量子霍尔效应。普通二维半导体系统中导带和价带间有带隙的，所以费米能级小于零时材料就成绝缘体啦，霍尔电导会趋向于零。增加费米能级先填充第一个朗道能级的扩展态，于是霍尔电导增加，到扩展态填满了开始填充第一个朗道能级的局域态和第二个朗道能级的局域态时，就出现霍尔电导的平台，再增加费米能级就开始填充第二个费米能级的扩展态，这是霍尔电导增加...普通系统中相邻两个霍尔电导平台间的距离是1

弱弱问一下，你这图是文献上的还是你算出来的？想参考一下田山东(站内联系TA)呵呵，肯定是文献中的啊。prb 73, 233406田山东(站内联系TA)你的意思是这样吧：在费米能0附近有个0平台，因为在带隙；然后随着费米能增加会有一个1平台，再有2平台，再有3平台。。。。。相反的，费米能小于0会有对称的图形吧？-1，-2，-3...syliu(站内联系TA)通常二维中的霍尔效应没有-1，-2，-3等平台，因为这时费米能级在带隙内，没有电子态存在，原则上这时的霍尔电导为零syliu(站内联系TA)谢谢文献信息，普通二维系统中费米能级在0位置不能看成平台，因为费米能级小于零时霍尔电导还是零田山东(站内联系TA)楼: Originally posted by syliu at 2012-03-03 14:47:55:

石墨烯的特点是价带和导带之间没有带隙，所以费米能级从大于零变成小于零，对应于从电子的量子霍尔效应变成空穴的量子霍尔效应。普通二维半导体系统中导带和价带间有带隙的，所以费米能级小于零时材料就成绝缘体啦 ... 我觉得Ef<0跟Ef>0平台是对称的，就像石墨中那样田山东(站内联系TA)这是单层石墨和双层石墨霍尔效应，对单层石墨，在Dirac点特殊性，但是对于普通二维电子气，没有这个特殊性，所以费米能为0的地方会出现平台。记得某个同学毕业论文上比较过，类似的图。

个人想法！syliu(站内联系TA)通常半导体二维电子系统和双层石墨烯有所不同，通常半导体二维系统都有带隙，而双重石墨烯的带隙可以是零。对普通半导体二维系统来说，费米能级小于零时费米能级在带隙中，而带隙中电子态密度为零，所以霍尔电导为零，因此没有-1，-2等等平台，费米能级为零的位置不能完全理解为平台吧。

但对于零带隙双层石墨烯来说，如果费米能级小于零，则会出现空穴的量子霍尔效应，所以有-1、-2等平台。不过按传统的理解，双层石墨烯在费米能级为零位置也应是平台，可是实验没观察到，所以这是人们感到奇怪的地方。

PRB利用率和用户的行为关系比较大，比如用户数目多，则enb调度的用户数越多，调度难度比较大，出现调度“缝隙”的几率就比较大，影响prb的利用率，另外如果用户使用的业务不是类似best effort的连续大数据量业务，而是比较零碎的小包业务，时断时续的，那么prb的分配也不会很充分

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