MiniMicro LED TechDays即将来袭_技术

Mini/MicroLED已经成为半导体显示产业的突破口。4月21日凌晨，万众期待的科技圈“春晚”——苹果春季新机发布会中，此前盛传的MiniLED显示屏终于在压轴新品12.9英寸iPadPro得以展现。

随着苹果入局MiniLED，可以预见Mini/MicroLED已成为目前最火爆的屏幕视像技术。股价是先行信号，随着苹果入局MiniLED，Mini/MicroLED概念股早已悉数上涨。

股价先行

在3月25日-4月7日这两周，也就是CMMA大会之后，Mini/MicroLED概念股悉数上涨。比如，TCL 科技 3月25日收盘价9.19元，4月7日收盘价9.97元，期间上涨8.49%。利亚德由6.96元上涨到8.06元，期间上涨15.8%。京东方由6.04元上涨到6.56元，期间上涨8.61%。小米由23.9元上涨到26.3元，期间上涨10.0%。康佳由6.04元上涨到6.23元，期间上涨3.15%。

Mini/MicroLED概念股的悉数上涨，除了与苹果入局MiniLED有关，还有MiniLED产业链各大企业抱团有关。

几年前，液晶面板、LED显示屏、消费终端各雄踞一方，只在各自阵营峰会上碰撞火花。如今，中国电子视像行业协会Mini/MicroLED显示产业分会（简称“CMMA分会”）吸引多个不同领域龙头企业结盟，他们以新组织形式，共同为Mini/MicroLED降成本、定标准、建专利池、筹建产业发展基金。

2021年3月25日，国内外300多家企业共同联合发起成立CMMA分会，并在北京召开“第一次成员大会暨新一代显示产业高质量发展论坛”。虽然CMMA分会成立时间不长，但其一举一动对Mini/MicroLED行业有着深远的影响。

CMMA分会团结广大会员单位，加速推进Mini/MicroLED产业化、规模化和商业化进程，共同承担建设Mini/MicroLED显示新生态、以高质量视听终端提升人们美好生活。

据了解，CMMA分会已吸纳Mini/MicroLED产业链上下游多家核心企业加入，包括TCL、海信、华为、小米、创维、康佳、荣耀、三星、Sony、利亚德、艾比森、木林森、阿尔泰、京东方、TCL华星光电、惠科、维信诺、三安、华灿、瑞丰光电、利晶微、鸿利、晶台、诺瓦星云、卡莱特、海拓仪器等。

CMMA分会首席科学家、中国科学院院士郑有炓表示，CMMA分会的成立必将推动我国Mini/MicroLED技术和产业的发展，为我国信息技术产业高质量发展做出贡献。

TechDays重磅来袭

在3月24日-26日于北京召开第一次成员大会，只是CMMA分会在2021年的一项重点工作。CMMA分会在2021年另一项重点工作是，将在7月30日－8月1日于上海新国际博览中心打造第二届全球Mini/MicroLED TechDays技术周，并登录UDE2021，其主题是“政用产学研投，下一个五年的互融共生”。

第二届全球Mini/MicroLED TechDays集合世界各地致力于研究Mini/MicroLED技术的LCD、LED和半导体的企业家、研发和市场战略专业人士，提供最新技术和产品展示、技术分享、市场趋势分享和产业互动的最大规模的技术盛会。

为期三天的TechDays包含了10000 的Mini/MicroLED全产业链成果展示新品集中发布周 2000人次参与的第二届全球Mini/MicroLED显示领袖峰会白皮书发布标准发布三天不重样的产业商贸对接、投融资对接媒体专访、报道、展商直播秀用户体验领袖餐叙欢迎晚宴。

Mini/MicroLED全产业链成果展中，本届的展示范围涵盖：MiniLED背光产业链（包含中小尺寸、大尺寸）、MicroLED直显产业链（包含中小尺寸、大尺寸）、终端应用（显示屏幕、户外大屏、电视、超高清显示器、Mini背光、穿戴式设备、车载产品等）。

此外，技术周活动采购需求大，参与企业众多，行业类别广，对接精准度高，因此特别邀请组织了采买团。来自全球Mini/MicroLED显示产业链上下游数百家买家将与展商进行对接洽谈。设置集中参观、商贸对接、新产品介绍环节！

第二届全球Mini/MicroLED显示领袖峰会一直以来都是行业风向标，顶级行业大咖面对面，横向交流技术，纵向探讨商业场景创新。在峰会上，还将探讨外延芯片、显示驱动，检测修复、巨量转移、封装测试、无缝拼接和良率提升等困扰产业发展的技术难点突破及规模化量产的话题探讨。以及探讨商业场景创新，聚焦业内Mini/MicroLED显示领袖企业，共同探讨最新洞见和未来发展趋势。探索商业化场景，包括影院、办公、商用显示、专用显示器、电视、平板、笔电、AR、车载等。

更为重要的是，在Mini/MicroLED TechDays，还有技术标准发布，包括《MicroLED显示屏技术规范》、《MinLED背光液晶电视技术要求》。这些技术标准的发布，对Mini/MicroLED产业的未来发展有举足轻重的影响，而这也是影响Mini/MicroLED概念股走势的重要因子。

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“新能源材料（硅片）全球TOP1，新能源组件全球TOP3，半导体材料（硅片）全球TOP5”。

8月17日，站在TCL新动能战略发布会演讲台上，63岁的李东生为中环股份（002129.SZ）定下全球新目标。一个月前，他掌舵的TCL 科技 (000100.SZ)以109.7亿元竞购中环集团100%股权，并将后者核心上市公司之一中环股份收入囊中。这也意味着，TCL 科技将成为中环股份的第一大股东，后者从国企变身民企。

当天，李东生亮出TCL 科技的三大引擎：智能终端、半导体显示及材料、新能源及半导体。而中环股份便是其发展新能源及半导体的重要主体。

一手新能源，一手半导体。李东生又将带领中环股份驶向何方？“TCL 科技的业务与中环股份的业务高度契合、互补协同性比较大。另外，我们看好企业的管理基础、实力，特别是经营管理团队。入股中环后，我们将加大资源的投入，助力中环发展。”李东生向《中国经营报》等媒体如是表示。

对垒“光伏一哥”

中环股份要实现在新能源材料（硅片）称雄的目标，就不得不直面与“光伏一哥”隆基股份（601012.SH）的竞争。

有意思的是，2020年3月疫情期间，李东生和隆基股份创始人、总裁李振国还同时出现在由清华大学经管学院中国企业发展与并购重组中心举办的洞见讲堂活动上，探讨疫情下全球供应链新变局。彼时TCL 科技尚未浮出中环集团混改“水面”，面对李东生，李振国还以“东生大哥”相称。如今，话音刚落，两者转身就变成了“对手”。

事实上，中环股份与隆基股份之间的交锋由来已久。

中环股份与隆基股份并称为单晶硅片龙头。不同的是，隆基股份专注于光伏领域，已经建构了从硅片、电池组件到光伏电站的垂直一体化产业链。而中环股份在光伏领域的垂直一体化尚不明显，当下其硅片业务突出，并不断加码组件环节。

在光伏硅片方面，中环股份与隆基股份基本占据了全球硅片产能的半壁江山。2019年底，隆基股份单晶硅片产能达到42GW，出货65.48亿片；中环股份单晶硅片合计产能33GW，销售量51.44亿片。近几年，两家企业竞相扩产：隆基股份规划硅片产能2020年底达75 GW，中环股份到2023年整体规划硅片产能达85GW。

2019年以来，中环股份觊觎全球组件地位的野心渐显，其参与竞拍东方环晟（后更名环晟光伏）并最终持股77%。据《能源》杂志报道，作为中环股份控股子公司环晟光伏目前拥有2GW叠瓦组件，到明年下半年产能将达到15GW，并有可能在2023年扩张至20GW。

不过，光伏咨询机构PVinfoLink于8月17日发布的2020年上半年全球光伏组件出货排名表明，目前中环股份与其他同行企业相比仍存在差距。从排名上看，位居榜首的仍是晶科能源，隆基股份次之，随后是天合光能、晶澳科技等企业，其中晶科能源和隆基股份出货量均超7GW。

显然，在光伏领域，目前隆基股份似乎略胜一筹，这在经营业绩上也进一步得到佐证。截至2019年底，隆基股份营收328.97亿元，净利润55.57亿元；同期，中环股份营收168.87亿元，净利润9亿元，其中，新能源板块营收154.39亿元，占营收比重91.43%。而市值方面，中环股份超700亿元，而隆基股份已破2000亿元大关。

不过，在不少人看来，中环股份和隆基股份的不同或差距似乎更多是体制原因。“从我个人38年的国企半导体行业的经历来看，深刻体会到体制机制是发动机。”中环股份总经理沈浩平认为，TCL将赋能未来的中环半导体，助力中环半导体，就是赋体制机制的能。

李东生也表示，“在原有的地方国有体制下，中环股份能够和各种所有制竞争保持一种竞争力，这非常难得。”

尽管与“光伏一哥”存在差距，但在光伏技术等方面，沈浩平却充满自信。2018年沈浩平曾在接受媒体采访时回忆，“在光伏领域，2002年以来没有什么重大技术，主要围绕单晶的。所有的重大创新全是我们（中环）创造的，没有一个不是。”

这种紧张态势在2020年下半年光伏涨价潮中也有表现。7月以来，光伏上游价凶猛，隆基股份被指“吃相难看”。而形成较大反差的是，中环股份却公开报价比隆基股份低0.22元／片。这被业界解读为两家企业“暗战”。

半导体“全球追赶”

相比光伏新能源板块，中环股份的半导体业务刚迎来黄金发展期。目前中环股份半导体业务占比低，其2019年半导体硅片（营收10.97亿元）占比仅6.5%。

半导体硅片属于半导体产业链的上游环节，是最为关键的半导体材料。不过，从全球竞争布局上看，前五家供应商日本信越半导体、日本胜高科技、中国台湾环球晶圆、德国Siltronic和韩国SK Siltron，已占据全球半导体硅片市场90%以上份额。中国大陆硅片制造企业中环股份与沪硅产业U(688126CN)较为靠前，但市场占比仅徘徊在2%上下。

摩尔定律驱动下，目前全球主流半导体硅片尺寸已迭代为8英寸和12英寸。而在中国大陆，仅有少数几家企业具备8英寸半导体硅片的生产能力，12英寸半导体硅片主要依靠进口。

2017年以来，全球半导体迎来5G/AI/IoT所驱动的新一轮增长周期和第三次产业转移浪潮，中国半导体硅片市场需求进一步增长。这一年，我国大陆硅片制造商开始打破垄断，并逐渐建立起可商业化的产品。

彼时，中环股份重点推进半导体硅片产品结构的战略升级。2017年12月，中环股份与无锡市政府下属投资平台、硅片制造设备商晶盛机电共同组建中环领先半导体材料有限公司（以下简称“中环领先半导体”），并在无锡建立8英寸、12英寸大硅片项目，共建半导体大硅片产业链。

事实上，受益于芯片国产化浪潮，国内大硅片市场需求规模将进一步增长。2019～2020年，中环股份也进入快速扩张期。

2019年1月，中环股份拟非公开发行股票不超5.57亿股，募资总额不超过50亿元，用于8~12英寸半导体硅片生产线项目、补充流动资金。截至2020年8月12日，中环股份已完成发行认购。

不仅如此，中环股份还有意在大硅片供应链上进行布局。2020年7月，中环股份出资2亿元参股中芯聚源发起的专项股权基金聚源芯星基金，而后者作为战略投资者认购了中芯国际在科创板首次公开发行的战略配售。

资料显示，目前中环股份半导体8英寸硅片已经量产，并通过大量客户验证，12英寸已经积极送样，正稳步导入量产。按照规划，中环股份的目标为8英寸105万片/月、12英寸62万片/月。

沈浩平公开表示，中环股份希望实现8英寸硅片全球前三，12英寸全球前五的目标。

中环股份的产业战略规划是做全球综合门类最全的半导体材料供应商。沈浩平比喻，“我们要既能给麦当劳提供薯片也能为中国菜提供各式各样的配料。”在他看来，这可能是中环股份走向未来更好的一个捷径，或者风险更小的路径。

这一目标在李东生看来也是现实的。他认为，现阶段要“上坡加油，追赶超越，扩展产业规模竞争力。”同时，TCL 科技将加大资源投入，助力中环股份发展，总投资超过60亿元，包括建立高端半导体产业园。

电阻

电阻等效电路

图1 电阻等效电路

电阻的等效阻抗

同一个电阻元件在通以直流和交流电时测得的电阻值是不相同的。在高频交流下，须考虑电阻元件的引线电感L0和分布电容C0的影响，其等效电路如图1所示，图中R为理想电阻。由图可知此元件在频率f下的等效阻抗为

式 1

上式中ω＝2πf， Re和Xe分别为等效电阻分量和电抗分量，且

式 2

从上式可知Re除与f有关外，还与L0、C0有关。这表明当L0、C0不可忽略时，在交流下测此电阻元件的电阻值，得到的将是Re而非R值

电感

电感等效电路

图2 电感等效电路

电感的等效阻抗

电感元件除电感L外，也总是有损耗电阻RL和分布电容CL。一般情况下RL和CL的影响很小。电感元件接于直流并达到稳态时，可视为电阻；若接于低频交流电路则可视为理想电感L和损耗电阻RL的串联；在高频时其等效电路如图2所示。比较图1和图 2可知二者实际上是相同的，电感元件的高频等效阻抗可参照式 1来确定

式 3

式中 Re和Le分别为电感元件的等效电阻和等效电感。

从上式知当CL甚小时或RL、CL和ω都不大时，Le才会等于L或接近等于L。

电容

电容等效电路

图3 电容等效电路

电容的等效阻抗

在交流下电容元件总有一定介质损耗，此外其引线也有一定电阻Rn和分布电感Ln，因此电容元件等效电路如图 3所示。图中C是元件的固有电容，Rc是介质损耗的等效电阻。等效阻抗为

式 4

式中 Re和Ce分别为电容元件的等效电阻和等效电容，由于一般介质损耗甚小可忽略(即Rc→∞)，Ce可表示为

式 5

从上述讨论中可以看出，在交流下测量R、L、C，实际所测的都是等效值Re、Le、Ce；由于电阻、电容和电感的实际阻抗随环境以及工作频率的变化而变，因此，在阻抗测量中应尽量按实际工作条件(尤其是工作频率)进行，否则，测得的结果将会有很大的误差，甚至是错误的结果。

二极管

功率二极管的正向导通等效电路

（1）：等效电路

（2）：说明：

二极管正向导通时可用一电压降等效，该电压与温度和所流过的电流有关，温度升高，该电压变小；电流增加，该电压增加。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。

功率二极管的反向截止等效电路

（1）：等效电路

（2）：说明：

二极管反向截止时可用一电容等效，其容量与所加的反向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。

功率二极管的稳态特性总结

（1）：功率二极管稳态时的电流/电压曲线

（2）：说明：

二极管正向导通时的稳态工作点：

当Vin >>Vd 时，有：

而Vd对于不同的二极管，其范围为 0.35V~2V。

二极管反向截止时的稳态工作点： Id≈0，Vd = -Vin

（3）：稳态特性总结：

-- 是一单向导电器件（无正向阻断能力）；

-- 为不可控器件，由其两断电压的极性控制通断，无其它外部控制；

-- 普通二极管的功率容量很大，但频率很低；

-- 开关二极管有三种，其稳态特性和开关特性不同：

-- 快恢复二极管；

-- 超快恢复，软恢复二极管；

-- 萧特基二极管（反向阻断电压降＜＜200V，无反向恢复问题）；

-- 器件的正向电流额定是用它的平均值来标称的；只要实际的电流平均值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的；

-- 器件的通态电压呈负温度系数，故不能直接并联使用；

-- 目前的 SiC 功率二极管器件，其反向恢复特性非常好。

MOS管

功率MOSFET的正向导通等效电路

（1）：等效电路

（2）：说明：

功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。

功率MOSFET的反向导通等效电路（1）

（1）：等效电路（门极不加控制）

（2）：说明：

即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。

功率MOSFET的反向导通等效电路（2）

（1）：等效电路（门极加控制）

（2）：说明：

功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。此工作状态称为MOSFET 的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中非常重要的一种工作状态。

功率MOSFET的正向截止等效电路

（1）：等效电路

（2）：说明：

功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。

功率MOSFET的稳态特性总结

（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线

（2）：说明：

功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：

当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。

（3）：稳态特性总结：

-- 门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态；当VgsVth时，器件处于导通状态；器件的通态电阻与Vgs有关，Vgs大，通态电阻小；多数器件的Vgs为 12V-15V ，额定值为+-30V；

-- 器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的；只要实际的漏极电流有效值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的；

-- 器件的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；

-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；

-- 器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小（目前最小的为2-4 毫欧），在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件；

包含寄生参数的功率MOSFET等效电路

（1）：等效电路

（2）：说明：

实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。

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