
栅压是指在晶体管的栅极上产生的电压,它是一种固定的电压,它的大小取决于晶体管的类型,一般来说,栅压的大小在0.7V到5V之间。
偏压是指在晶体管的源极和漏极上产生的电压,它是一种可变的电压,它的大小取决于晶体管的类型,一般来说,偏压的大小在0V到5V之间,可以通过电阻或电容来调节。
总的来说,栅压是一种固定的电压,而偏压是一种可变的电压,它们之间有着明显的区别。
使用13.56MHz的原因: (1)根据国际通讯协会的规定,13.56MHz(及谐频27.12Mhz、 40.68Mhz) 915Mhz(微波)、2450Mhz(微波),非通讯频段,工业、及无线电爱好者可以使用,由此该频率的电源技术逐渐成熟,生产厂家也多,价格也相应低,选用该频率的用户也多。但在产生等离子体或偏压特性上衡量,13.56MHz并不是最佳选择。 (2)从产生自偏压而言,在13.56MHz范围,同样功率产生的自偏压(仅仅直流自偏压)大, 在芯片的等离子体刻蚀中绝大多数使用电负性气体等离子体,等离子体中有正、负离子。使用400Kz电源产生自偏压时,直流自偏压小,电压的正负半周期几乎对称,正、负离子在平偏压的负、正半周期内通过鞘层加速轰击待刻蚀的Si、SiO2槽、孔,不但提高刻蚀速率,还可以降被刻蚀低绝缘材料的电荷积累,有利于刻蚀深、宽比大的槽、孔,刻蚀后的侧壁形状陡直。 采用13.56MHz偏压源,存在负的自偏压,仅有正离子可以进入刻蚀槽孔、底部,负离子不能穿过鞘层进入刻蚀表面,电子可以在很小的时间段(瞬时偏压为正期间)进入槽、孔,但仅能达到上部,由此造成刻蚀绝缘材料的差分带电,导致刻蚀性能恶化。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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