苏州半导体企业名单

寸（inch）

名称

所在城市

状态

12

SMIC FAB4

北京

总耗电量31.5MVA

12

SMIC FAB5

北京

二期扩建，投资巨大，狐狸露出尾巴

12

SMIC FAB6C

北京

Cu process

12

SMIC FAB8

上海

2012被水淹

12

武汉新芯

武汉

飞索包下3k~5k/m订单

12

Hynix-ST

无锡

国内规模一哥，对华族无实质利益

12

Intel FAB68

大连

假公济私，离海岸线仅有数百米

12

华力FAB2

上海

平衡SMIC的一个棋子

12

山东华芯

济南

摇旗呐喊，学忽悠

12/8

（VIP站友可知）

潍坊

计划中，尚未启动

8

大连理工大学微电子学院

大连

没钱

8

TSMC FAB10

上海

潜龙在渊

8

华力FAB 1,2,1C

上海

原HHNEC

8

SMIC FAB1,2,3B,9

上海

2012被水淹

8

SMIC FAB10

上海

solar cell，被卖了

8/12

（VIP站友可知）

福州

注册资本金到位，选址完毕，高管团队就位

8

SMIC FAB7

天津

中国第一批新生代半导体菁英摇篮

8

TI成都

成都

1/3贱价卖出

12/8

SMIC

深圳

倒闭倒计时中...

8

华润微电子FAB 2

无锡

本站在该公司新成立之时就宣判该公司财务上死亡，但目前官方宣传一切正常，继续观察中...

6

邦普power

江苏海安

原GMIC，已被收购完毕，改6寸

8

和舰HJTC FAB1，2

苏州

回归母体，曲线西进

8

晶诚

郑州

玩笑破灭中...又跑到包头继续开更大玩笑

8

ASMC FAB3

上海

漏洞百出

8

中联国际

山东东营

洁净室施工中，近日可能搁浅

8

中科渝芯

重庆

8

（VIP站友可知）

大连

又有重新启动的可能

6

睿创微纳

烟台

MEMS fab

6

ASMC FAB1

上海

2012被水淹

6

BCD

上海

海外上市融资

6

士兰

杭州

2012被水淹，真正民族旗帜，值得敬佩

6

华润晶芯

无锡

华润微电子整体开始盈利

6

珠海南科ACSMC

珠海

2012被水淹，8寸项目无法启动

6

中环

天津

枯藤老树昏鸦

6

西岳（77所）

西安

2015年，本站准备组织义勇军去挖掘废墟去

6

方正

深圳龙岗

力争国内6寸一哥，目标远大

6

晶新

扬州

on building

6

韩国SK

深圳

投资3200万美元SoC项目

6

吉林华微FAB3（麦吉科）

吉林

已投产

6

杭州力昂

杭州

2012被水淹

6

福建福顺

福州

新购sony 6寸线，规模快速扩大中

6/8

厦门集顺

厦门

台湾友顺花开两朵。8寸线可能落在厦门集美北部工业区，也有说法落地福州

6

北京燕东

北京

2012被震塌了

6

安森美（菲尼克斯）半导体

四川乐山

已获政府批准

6

科达半导体

山东东营

6寸IGBT后工序生产线（同样的还有无锡凤凰），封装测试线已投产

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比亚迪BYD

宁波

收购原宁波中纬，整合结果待观察

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littlefuse（康可电子）

无锡

状态不明，似乎还活着

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中洋田

广东中山

情况不明

<///><///><///><///> 5

士兰

杭州

2012被水淹

<///><///><///><///> 5

扬州晶新

扬州

2012被水淹

<///><///><///><///> 5

深爱

深圳

深圳方正对面

<///><///><///><///> 5

扬州国宇

扬州

ongoing

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浙江华越

绍兴

国有老厂，廉颇老矣

<///><///><///><///> 5

华兴

香港

华智？

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逸仙半导体

广东珠海

总裁邓海屏，情况不明

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天水

甘肃

2015还在否？

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扬州晶新

扬州

倒卖设备先锋

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福建安特

莆田

人员大规模异动

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上海贝岭

上海

老树枯藤昏鸦

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深爱

深圳

2012被水淹

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吉林华微

吉林

2015年，本站组织义勇军去挖掘废墟

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浙江华越

绍兴

2012被水淹

4

江阴长电

江阴

自有功率器件小线

4

捷来电子

启东

盈利

4

捷捷电子

启东

盈利

4

58所华晶

无锡

2012被水淹

4

华普

无锡

2012被水淹

4

明芯

江苏海安

盈利

4

福顺

福建福州

2012被水淹

4

燕东

北京

2012震塌了

4

安顺

丹东

台湾友顺的子公司

4

敦南科技

无锡

还好

4

58所华晶

无锡

2012被水淹

4

鼎霖

北京

0.5微米半导体特种工艺生产线

4

东光

宜兴

上市了，又中股市三年必倒魔咒，高度风险中…

全国的，你看看

具有在一定的低温条件下呈现出电阻等于零以及排斥磁力线的性质的材料。现已发现有28种元素和几千种合金和化合物可以成为超导体。

特性超导材料和常规导电材料的性能有很大的不同。主要有以下性能。①零电阻性：超导材料处于超导态时电阻为零，能够无损耗地传输电能。如果用磁场在超导环中引发感生电流，这一电流可以毫不衰减地维持下去。这种“持续电流”已多次在实验中观察到。②完全抗磁性：超导材料处于超导态时，只要外加磁场不超过一定值，磁力线不能透入，超导材料内的磁场恒为零。③约瑟夫森效应：两超导材料之间有一薄绝缘层（厚度约1nm）而形成低电阻连接时，会有电子对穿过绝缘层形成电流，而绝缘层两侧没有电压，即绝缘层也成了超导体。当电流超过一定值后，绝缘层两侧出现电压U（也可加一电压U），同时，直流电流变成高频交流电，并向外辐射电磁波，其频率为，其中h为普朗克常数，e为电子电荷。这些特性构成了超导材料在科学技术领域越来越引人注目的各类应用的依据。

基本临界参量有以下3个基本临界参量。①临界温度:外磁场为零时超导材料由正常态转变为超导态(或相反)的温度，以Tc表示。Tc值因材料不同而异。已测得超导材料的最低Tc是钨，为0.012K。到1987年，临界温度最高值已提高到100K左右。②临界磁场：使超导材料的超导态破坏而转变到正常态所需的磁场强度，以Hc表示。Hc与温度T的关系为Hc=H0[1-(T/Tc)2]，式中H0为0K时的临界磁场。③临界电流和临界电流密度：通过超导材料的电流达到一定数值时也会使超导态破态而转变为正常态，以Ic表示。Ic一般随温度和外磁场的增加而减少。单位截面积所承载的Ic称为临界电流密度，以Jc表示。

超导材料的这些参量限定了应用材料的条件，因而寻找高参量的新型超导材料成了人们研究的重要课题。以Tc为例，从1911年荷兰物理学家H.开默林－昂内斯发现超导电性(Hg，Tc=4.2K)起，直到1986年以前，人们发现的最高的Tc才达到23.2K(Nb3Ge，1973)。1986年瑞士物理学家K.A.米勒和联邦德国物理学家J.G.贝德诺尔茨发现了氧化物陶瓷材料的超导电性，从而将Tc提高到35K。之后仅一年时间，新材料的Tc已提高到100K左右。这种突破为超导材料的应用开辟了广阔的前景，米勒和贝德诺尔茨也因此荣获1987年诺贝尔物理学奖金。

分类超导材料按其化学成分可分为元素材料、合金材料、化合物材料和超导陶瓷。①超导元素：在常压下有28种元素具超导电性，其中铌（Nb）的Tc最高，为9.26K。电工中实际应用的主要是铌和铅(Pb，Tc=7.201K)，已用于制造超导交流电力电缆、高Q值谐振腔等。②合金材料：超导元素加入某些其他元素作合金成分，可以使超导材料的全部性能提高。如最先应用的铌锆合金(Nb-75Zr)，其Tc为10.8K，Hc为8.7特。继后发展了铌钛合金，虽然Tc稍低了些，但Hc高得多，在给定磁场能承载更大电流。其性能是Nb-33Ti，Tc=9.3K，Hc＝11.0特；Nb-60Ti，Tc=9.3K，Hc=12特(4.2K)。目前铌钛合金是用于7～8特磁场下的主要超导磁体材料。铌钛合金再加入钽的三元合金，性能进一步提高，Nb-60Ti-4Ta的性能是，Tc＝9.9K，Hc=12.4特（4.2K）；Nb-70Ti-5Ta的性能是，Tc=9.8K，Hc=12.8特。③超导化合物:超导元素与其他元素化合常有很好的超导性能。如已大量使用的Nb3Sn，其Tc=18.1K，Hc=24.5特。其他重要的超导化合物还有V3Ga，Tc=16.8K，Hc=24特；Nb3Al，Tc=18.8K，Hc=30特。④超导陶瓷：20世纪80年代初，米勒和贝德诺尔茨开始注意到某些氧化物陶瓷材料可能有超导电性，他们的小组对一些材料进行了试验，于1986年在镧－钡－铜－氧化物中发现了Tc=35K的超导电性。1987年，中国、美国、日本等国科学家在钡－钇－铜氧化物中发现Tc处于液氮温区有超导电性，使超导陶瓷成为极有发展前景的超导材料。

应用超导材料具有的优异特性使它从被发现之日起，就向人类展示了诱人的应用前景。但要实际应用超导材料又受到一系列因素的制约，这首先是它的临界参量，其次还有材料制作的工艺等问题（例如脆性的超导陶瓷如何制成柔细的线材就有一系列工艺问题）。到80年代，超导材料的应用主要有：①利用材料的超导电性可制作磁体，应用于电机、高能粒子加速、磁悬浮运输、受控热核反应、储能等；可制作电力电缆，用于大容量输电（功率可达10000MVA）；可制作通信电缆和天线，其性能优于常规材料。②利用材料的完全抗磁性可制作无摩擦陀螺仪和轴承。③利用约瑟夫森效应可制作一系列精密测量仪表以及辐射探测器、微波发生器、逻辑元件等。利用约瑟夫森结作计算机的逻辑和存储元件，其运算速度比高性能集成电路的快10～20倍，功耗只有四分之一。http://ic.big-bit.com/

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