杂质越多直流射流导电性能越大

这是一个很基础的半导体物理概念，其实题主要的答案《半导体物理》这本教材中有很详细的解答。

简单举例来说，纯净的硅（Si），即本征半导体，导电性是很差的。所以为了增强电导率，不管在哪一方面的实际应用中几乎都需要向本征硅中掺杂三五族元素，即硼、磷。这一步骤在硅晶元（Wafer）出厂时就已经完成，工厂购买硅晶元时会定制掺杂量。

晶元图片（每个小方块为预制的一个半导体器件区）

上述过程一般而言掺杂量越大导电性越强。这个掺杂过程的详细解读及其导电性的定量分析可以在上述的书中找到，或者网上下ppt课件也可以很容易掌握其掺杂规律。

而整体来说，除了掺杂量以外半导体的导电性还和温度、电场、外加光照等等因素有关，是个较复杂的关系。

如果说掺杂其他的非导电绝缘（或导体）物质，那其导电性就需要具体个例来具体判断了。

反向电流的主要成分是耗尽区边界的少子扩散电流和耗尽区的产生电流；正向偏置的PN结中N区电子通过扩散进入P区，在P区边扩散边与P区空穴复合，而空穴由电极处补充，从而转化成空穴电流。电子进入P区形成的是电子扩散电流，不是电子空穴复合电流。但有电子空穴复合。

找到三份材料：现代半导体器件物理(施敏,科学出版社2001).pdf半导体器件物理与工艺参考答案.pdf(Semiconductor Devices,Physics and Technology)【施敏】全部发给你。请收。 刚才发了几次都因文件太大被退回。后将文件分开发送，已发送完毕，请查收。

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