
晶硅是超高纯的单质硅,纯度在6N 以上,也就是说,99.9999%以上都是硅,其杂质还不
足百万分之一。为了获得多晶硅,人们采取了各种手段,消耗大量电能,花费大量资金,利
用化学和物理的方法对硅进行反复的提纯,最后,好不容易获得了多晶硅。
问题是,这好不容易获得的多晶硅,为何在生产单晶硅时非要掺杂呢?
生产单晶硅时,掺杂的目的是为了使单晶硅达到特定的电学性质,从而使生产出的单晶
硅成为P型单晶硅或 N型单晶硅。
单晶硅是Ⅴ族元素半导体,要得到P型单晶硅,一般需要掺入Ⅲ族元素杂质,如 B、
Al、Ga和In;要得到 N型单晶硅,一般需要掺入Ⅴ族元素杂质,如P、As和Sb。但在实
际应用时,还要看杂质在硅液中的分凝系数、蒸发系数以及所需的掺杂量。对于P型掺杂,
由于 Al、Ga和In在硅液中的分凝系数很小,难以得
经查询锑化镓100晶向的角度是38。锑化镓,英文名称为Galliumantimonide,CAS号为12064-03-8,分子式为GaSb,分子量为191、4814,类似锗的化合物型半导体,灰白色,立方晶系闪锌矿型结晶,需常温密闭,阴凉通风干燥,用于制造激光器,探测器,高频器件,太阳电池。
高硅片。单晶硅晶向100平行参考面是一个平面,是高硅片特属的。单晶硅通常指的是硅原子以一种排列形式形成的物质。硅是最常见应用最广的半导体材料,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成晶核,其晶核长成晶面取向相同的晶粒,形成单晶硅。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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