在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。一般来说，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低。特征尺寸（沟道长度）的缩小虽然有明显的好处，但是

电子元件一、概述： GAL，通用阵列逻辑，英文全称：generic array logic。 GAL器件是从PAL发现过来的，其采用了EECMOS工艺使得该器件的编程非常方便，另外由于其输出采 用了逻辑宏 单元结构（OLMC—Output

手机和平板电脑可以像报纸一样卷起来，隐形眼镜中集成的屏幕能够直接读取信息......这些听起来非常科幻的场景，在新型二维材料的推动下，正不断趋于现实。二维材料 是一种具有单个或几个原子层厚度的新型晶体材料，目前已经发展成

旋磁效应是材料或介质的磁化受到静磁场干扰时，其环绕该磁场方向的阻尼旋进运动减弱而回到平衡状态的一种现象。利用效应可以制成各种互易和非互易器件，如隔离器、环行器、相移器、限幅器等。广泛地应用于微波电路中。中文名旋磁效应外文名Gyroma

ESD的意思是“静电释放”。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。静电一种客观存在的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦、电器间感

工作发热正常现象单镜头反光式取景照相机，（Single Lens Reflex Camera，缩写为SLR camera）又称作单反相机。它是指用单镜头并通过此镜头反光取景的相机。所谓“单镜头”是指摄影曝光光路和取景光路共用一个镜头，不像旁