DS1744是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟日历(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用户可通过如完整数据资料中的图1所示的单字节宽度的接口对DS1744内部的所有寄存器进行访

DS1554是一个全功能的，2000年兼容(Y2KC)，实时时钟RTC的闹钟，看门狗定时器日历(RTC)上电复位，电池监控，和32K × 8非易失性静态RAM。用户访问DS1554内的所有是一个字节

主要特性针对低成本、非易失应用，经优化的FPGA架构针对大批量、低成本应用而优化的特性集低成本的csBGA、TQFP、PQFP和BGA封装密度范围从5K至40K个四输入查找表(LUT)flexiFLA

本文介绍如何利用常见串行EEPROM的EPROM仿真模式及编码机制解决这一问题。 设计目标有些应用中，考虑到质保期的要求，希望能够对特定的事件进行计数和记录，例如上电次数、工作时间、硬(按钮)复位和超

DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等价于任何一款JEDEC标准的512k x 8 SRAM。该器件也能够轻松

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容

DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于任何× 8的SRAM JEDEC标准128K的。该设备还可以很容易地取代光

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容

DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，