碳化硅功率器件已成为一种很有前途的技术，人们对降低能耗和在高开关频率应用下运行的兴趣日益浓厚。碳化硅还可以维持较高的工作温度，使其成为工业环境的合适候选者。宽带隙半导体器件的可用性使工程师能够设计电力

本文检查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——这篇文章纯粹是指导性的;此组件不再可用。但是这种简单的方法也可以应用于其他新组件。在接下来的文章中，将使用其他组件——这种碳化硅 (Si

很多工艺控制传感器（如热敏电阻器和应变桥）都需要精确的偏置电流。增加一只电流设置电阻器R1后，电压基准电路IC1就可以构成一个恒定和精确的电流源（图1）。但是，该电流源的误差与R1和IC1的精度有关，

虽然增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多，但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。增强型 MOSFET 器件需要能量来供电，而耗尽型器件需要能量“停止”供电，这是它们的主要区别。目

在低噪声电路中放大传感器产生的小信号是一个非常常见但困难的问题。鉴于其固有的低闪烁 （1f） 和宽带噪声，设计人员通常会使用具有双极输入的运算放大器 （op amp） 来实现这种放大。当感兴趣的小信

业界速度最快的 JFET 输入放大器出世日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 OPA653 与 OPA659 JFET 输入运算放大器，其可实现3 倍于同类竞争产品的 2675 Vμs 压摆率，从而

本文分析了 JFET SJEP120R100A 的 *** 作和性能。这种 SiC JFET 适用于任何需要高功率和快速开关速度的应用。然而，它特别适合用于音频行业，在高端放大器中可以找到它。简要总结SJEP