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【导读】在本系列的前几篇文章中，我们介绍了电动车快充系统的主要系统要求，概述了系统开发过程中的关键阶段以及认识了参与设计25 kW SiC直流快充系统的工程师团队。 现在，让我们更深入了解25 kW

【导读】双碳目标正加速推进汽车向电动化发展，半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车，新一代半导体材料碳化硅(SiC)因独特优势将改变电动车的未来，如在关键的主驱逆变器中采用SiC可满足更高功率和

【导读】在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。在这一章，我们来看看其中的热管理部分是如何提高效率和可靠性，同时防止系统

【导读】牵引驱动器是电动汽车（EV）几乎所有能量的消耗源。因此，驱动系统必须尽可能提高效率，同时以最低重量占用最小空间 — 这些均旨在尽可能提高电动汽车的续航能力。随着行业利用双驱动装置提高牵引力，同

【导读】相较于传统的硅（Si）器件，碳化硅（SiC）拥有诸多优势，涵盖了广泛的功率水平和应用。凭借 SiC 器件更高的工作温度、更快的开关速度、更高的功率密度和更高的电压电流能力，SiC 器件可轻松

汽车行业对提高燃油效率和减少 CO 2排放的双重追求为支持这些平台的传感器系统、电池管理系统和发动机的所有其他部件带来了许多技术问题。电动汽车 (EV) 正受益于技术进步，这些进步带来了更低的价格，同

-该系列产品包含1200V和650V两种规格-东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列

领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在蔚来于2022年7月30日举行的合作伙伴大会上获其授予“守望奖”。作为蔚来体系中值得信赖的关键技术供应商，安森美通过

近日，国内第三代半导体新锐企业芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着芯塔电子在第三代半导体领域取得了重大进展，进一步丰富了

在宽带隙半导体开关的新时代，器件类型的选择包括SiC MOSFET 和 GaN HEMT 单元，它们都具有自己的特性并声称具有最佳性能。然而，两者都不是理想的开关，因为这两种器件类型在某些领域都有局限

近几年来，电动汽车、电化学储能、以及光伏和风电等新能源市场的快速发展，市场对功率器件的需求量大增，特别是电动汽车的兴起，让IGBT常年处于供应紧张状态，且未来几年都没有缓解的迹象。此时，SiC器件也乘

在电子仿真中，元件值总是被认为是固定的。有时，设计人员想要更改这些值以尝试测试不同的电路行为。其他时候，有必要考虑这样一个事实，即相同的值可能会发生变化，因为并非每个电子元件都是理想的。市场上提供了许

直流 (DC) 快速充电站主要用于公共场所，而交流 (AC) 充电概念主要用于私人家庭。然而，现在有了 DC Wallbox，有了强大的家用充电选项，其效率通过使用 SiC 半导体得到了提高。为了保护

风能和太阳能等基本可再生能源解决方案通常与储能相结合，是该行业增长最快的领域之一，而宽带隙碳化硅 (SiC)技术是这些解决方案的核心。终端系统设计人员已经确定，碳化硅功率半导体能够实现比硅 (Si)

目前，标准硅器件仍占电力电子市场的大部分。虽然许多公司正在开发新的电路拓扑以提高硅器件的效率，尤其是三电平拓扑，但新的碳化硅解决方案正在作为一种新的半导体元件出现，以应对不久的将来的高功率挑战。在接受

随着高效蓄能器（电池和超级电容器）的大量使用，趋势是朝着更好的电流管理方向发展。双向 DCDC 转换器可以保持电池健康并延长其使用寿命。介绍电池供电的便携式设备数量的增加在当今的生活方式中发挥着重要

在设计SiC 逆变器和 LLC 谐振转换器等宽带隙子系统时，在一些应用中，KEMET 的 I 类 MLCC、KC-LINK 可用作合适的高效电容器解决方案。在 SiC 逆变器中，DC-Link 电容器

据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业