“PCIM Europe”是功率器件、逆变器、转换器等功率电子产品的展会。在市场要求降低耗电、减轻环境负荷等背景下，该展会的规模逐年扩大，2013年共迎来了近8000名参观者。在本届展会上，开发SiC

初创公司 mqSemi 推出了适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元设计。使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件，在 1200V SiC MOSFET 结构

工业领域的电力应用通常基于强大的电动机，用于连续运行的风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱。工业领域最常见的配置是三相电动机，由适当的基于逆变器的驱动器驱动。这些电机可以吸收高达 60% 的工业

我们知道，技术教育不仅需要理论知识，还需要实践知识和实践经验，让学生在电路层面理解更深层次的概念。2实验室实际上可以帮助学生理解电路设计概念等主题。Power Pole Board 3,4和 Blue

电动汽车 (EV) 以及更普遍的电动汽车的成功在很大程度上取决于为电池充电所需的时间。长期以来，电动汽车一直被认为是弱点之一，充电时间逐渐缩短，采用快速充电等先进解决方案，只需几分钟。直接连接到交流电

电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标

与传统的基于硅的功率器件和其他替代品相比，基于 SiC 的技术能够显着提高能源效率。在数据中心基础设施要求以尽可能低的成本提供高效、可靠电力的推动下，预计不间断电源 (UPS) 市场将在未来几年显着增

电子产品节能的呼吁可能很难与电子产品节能的呼声联系起来，因为这意味着您的电费只需减少几美分或对减少全球 CO 2排放量的贡献很小，但是当电动汽车的效率更高时，效果更明显——更好的射程、更轻的重量和更低

氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙材料，在高功率射频 (RF) 应用中具有显着优势。与传统半导体（如硅）相比，氮化镓具有一些非常重要的物理和电学特性，包括：高击穿电压；高功率密度；高工作和开关频率；高效

在当今这一代，电力电子设备几乎在从交流适配器到传输系统的各个领域都有应用。这些器件包含硅 (Si) 作为低压和高压器件的主要元素。然而，随着半导体行业的最新进展，碳化硅 (SiC) 已被证明是硅基 M

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采​​用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在现

虽然硅基功率 MOSFET 在过去几十年中已经得到优化，但它们的电阻已经降低到了可能的极限。但是，对于碳化硅 MOSFET，还不能说同样的话。在其商业发布十年后，SiC 功率 MOSFET 制造商通常

电动汽车技术是汽车行业的未来，电池和快速充电器系统不断取得快速发展。在不牺牲充电时间的情况下，正在进行研究和开发，以确保电池尺寸更小，充电期间的功耗最小。太阳能光伏、风力涡轮机和储能系统具有三相逆变器

本文检查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——这篇文章纯粹是指导性的;此组件不再可用。但是这种简单的方法也可以应用于其他新组件。在接下来的文章中，将使用其他组件——这种碳化硅 (Si

启动 mqSemi 引入了单点源 MOS (S-MOS) 单元设计，适用于基于功率 MOS 的设备。S-MOS 技术采用 Silvaco Victory 工艺和器件软件在 1200V SiC MOSF

富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于S

传统的多电平转换器 ( MLC ) 为设备提供了跟上先进技术所需的高性能和效率，但其复杂的系统和大量所需的电力电子开关和支持电路会导致额外的成本和庞大的系统。下面，我们看一下使用先进技术增强传统转换器

众所周知，作为温度函数的传统半导体（Si、Ge 等）的带隙εg遵循以下定律：其中T 0 = 300 K，a 》 0 是一个系数，其值使得ε g 的变化对于设备的适当工作范围可以忽略不计。在这项研究中，

高级设计活动关注特定导通电阻领域，将其作为给定技术的主要基准参数。但是，必须在电阻和开关损耗等主要性能指标与与实际电力电子设计相关的其他方面（例如足够的可靠性）之间找到适当的平衡。设备设计理念一个合适