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  2. MOSFET
  • RF功率MOSFET产品及其工艺开发 技术

    RF功率MOSFET产品及其工艺开发

    中心论题:RF功率LDMOSFET性能特征RF功率LDMOSFET基本结构和制造工艺特点产品设计难点分析和解决方案器件的关键参数工艺难点和解决方案解决方案:设计了特殊栅结构和工艺制造流程P-阱和N+源

    阅卷系统 阅卷系统
    2022-10-22
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  • 常见MOSFET失效模式的分析与解决方法 技术

    常见MOSFET失效模式的分析与解决方法

    【导读】提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到这个目标,需要提高开关频率,从而降低功率损耗、系 统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关

    bt种子制作 bt种子制作
    2022-10-22
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  • 韩国技术团队访问南方芯源 技术

    韩国技术团队访问南方芯源

    公司事件:韩国枫叶半导体拜访南方芯源总经理罗义先生访问目的:枫叶半导体希望与南方芯源合作,共同开拓中国MOSFET市场近日韩国枫叶半导体一行三人到南方芯源深圳公司本部拜访了公司总经理罗义先生,宾主就目

    同比增长 同比增长
    2022-10-22
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  • MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能 技术

    MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能

    中心论题:概述以往转换器不能现今以至将来的要求描述采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器解决方案:DirectFETTM MOSFET多相功率变换同步整流器采用了可在1~2MHz频率

    光大银行客服电话 光大银行客服电话
    2022-10-22
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  • 同步整流的简化与发展趋势 技术

    同步整流的简化与发展趋势

    中心论题:同步整流的发展趋势 两端整流器件的介绍 稳压器模块由一个电流源和比较器组成 采用这类器件需要理解的几方面的设计考虑解决方案:通过前级减小的输出电源纹波等方法节约功率和成本 快速对电容充电为M

    南京审计大学金审学院 南京审计大学金审学院
    2022-10-22
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  • 分立式CoolSiC MOSFET的寄生导通行为研究 技术

    分立式CoolSiC MOSFET的寄生导通行为研究

    【导读】米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应,硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是,这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗? 引言 选择适当的栅极电

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    2022-10-22
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  • 汽车电子功率MOSFET 技术

    汽车电子功率MOSFET

    中心论题:车用功率MOSFET不断发展壮大。 汽车电子功率器件的市场动态。 功率MOSFET的解决方案。 解决方案:

    企业建站程序 企业建站程序
    2022-10-22
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  • SiE726DF:Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管 技术

    SiE726DF:Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管

    产品特性:采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装,散热出色低导通电阻:最大0.0024Ω低QgdQgs比率Qrr 为 30 nC,VSD 为 0.37 V可通过Rg和UIS测试应用范围:服务器和

    湛江台风 湛江台风
    2022-10-21
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  • 中国功率器件市场增速放缓MOSFET是亮点 技术

    中国功率器件市场增速放缓MOSFET是亮点

    机遇与挑战:受到下游整机产量以及库存调整的影响,中国市场上对于电源管理IC的需求有所放缓MOSFET得到广泛应用,市场增长率较快,市场发展空间广阔中国大陆企业在中国功率器件市场上的竞争力还很弱,企业实

    高数一 高数一
    2022-10-21
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  • SuperMESH3系列: ST照明和开关电源应用功率MOSFET 技术

    SuperMESH3系列: ST照明和开关电源应用功率MOSFET

    产品特性:产品分620V和525V两种导通电阻低至1.28Ω0.98Ω出色的dvdt特性采用小封装,减少占位空间应用范围:镇流器的功率因数校正器半桥电路开关电源意法半导体(

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    2022-10-21
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  • 优化变换器的FET开关以改善能量效率 技术

    优化变换器的FET开关以改善能量效率

    中心论题:电子产品性能的提升需要进一步提高DCDC的转换效率MOSFET是影响DCDC系统效率的主要原因 硅基MOSFET的技术改进:改善开关特性,增加单元密度 解决方案:提高MOSFET单元密度

    printf格式 printf格式
    2022-10-21
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  • 南方芯源在西安成立研发中心西安芯派 技术

    南方芯源在西安成立研发中心西安芯派

    公司事件:Samwin公司西安研发中心西安芯派科技有限公司正式成立事件影响:充分利用西安在半导体方面的人才资源,加工资源从事MOSFET全新沟通工艺,电源管理IC及射频技术应用研发中心的成立将进一步提

    bzhan bzhan
    2022-10-21
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  • STV250N55F3:意法半导体新250A功率MOSFET 技术

    STV250N55F3:意法半导体新250A功率MOSFET

    产品特性:采用引线带楔焊键合与表面贴装技术电阻率:1.5毫欧,低损耗开关损耗低,抗雪崩性能强功率高,额定功率为300W工作温度可达175℃,可用于55V设备有额定连续电流250A、200A的两款产品应

    实验室装备 实验室装备
    2022-10-21
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  • STW55NM60ND:意法半导体快速恢复MOSFET产品 技术

    STW55NM60ND:意法半导体快速恢复MOSFET产品

    产品特性:600V N沟道MOSFET晶体管导通电阻:0.060欧姆,低损耗TO-247封装最大漏极电流达到51A恢复时间短应用范围:再生能源控制器以能效为中心的应用环境意法半导体推出快速恢复MOSF

    pleasure pleasure
    2022-9-28
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  • NTUD312x:安森美适合便携电子产品应用超小型MOSFET 技术

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    产品特性:采用超小型SOT-963封装NTUD312x可在低压逻辑电平时启动(enable) *** 作供电NTUD3127C是一款20 V、200毫安(mA)-180 mA互补小信号MOSFETNTUD3

    万用表测量电流 万用表测量电流
    2022-9-28
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  • STD60N3LH5STD85N3LH5:意法半导体新功率MOSFET系列 技术

    STD60N3LH5STD85N3LH5:意法半导体新功率MOSFET系列

    产品特性:低的导通损耗和开关损耗开关频率高 30V(BVDSS)器件采用DPAK和IPAK封装应用范围:笔记本电脑服务器电信设备网络系统意法半导体推出两款适用于直流—直流转换器的全新功率M

    display display
    2022-9-28
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    低功率范围内的MOSFET表征

    半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状,以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如,2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。在为半导体器件电气特点编制准确

    mayuyu mayuyu
    2022-9-27
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  • 准谐振DC-DC转换器的设计 技术

    准谐振DC-DC转换器的设计

    我原以为,这是一个简单的项目,直到遇到其他资深专业人士对所使用的方法和所获得的结果的拒绝。有这些准谐振DC 到 DC 转换器正在使用中,它们的预期工作频率为 100 kHz。他们所在的系统有微电脑控制

    医院信息管理系统 医院信息管理系统
    2022-9-27
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    控制器电源ic U321的优势

    控制器电源ic U321为何好用?答案都在这里了!U321电源ic是一款集成高压启动和供电功能的多模式PWM 控制器。该系列产品支持离线式非隔离降压和升降压型拓扑电路,适用于小家电电源和线性电源替代等

    国家统计联网直报 国家统计联网直报
    2022-9-27
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