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BUCK电路的组成及工作原理
BUCK电路分析(一)一、电路组成如图1所示、异步BUCK电路主要有MOSFET场效应管(Q1)、功率二极管(D1)、电感(L1)、输入电容(C1)、输出电容(C2)、负载(R1)、组成;用MOSFE
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手机充电器芯片U6773V的特性介绍
手机充电器芯片U6773V缓解你的电量焦虑高耗电应用与高频使用这两大特性,几乎注定手游、短视频等移动娱乐天生自带电量焦虑。面对这种普遍性“电量焦虑”情况,除了购买电量大、续航长的手机外,选择一款品质好
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MOSFET特性、种类与制造过程
|详解中国MOSFET市场半导体逆全球化发展趋势明显,成熟制程芯片国产替代迎来难得的窗口期。又逢能源改革和国产电动汽车产业飞速发展的历史机遇,以MOSFET为代表的功率器件将率先开启国产替代加速的进程
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DCDC开关控制器的MOSFET选择
DCDC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得
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有源桥优化以太网供电设计
设备电源输入端使用的桥式整流器电路使其不受设备电源极性的影响。设备本身可能对电源的极性敏感,但桥式整流器可以配置为在电源极性反转时为设备提供正确的极性。某些系统,例如以太网供电 (PoE) 受电设备
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MOSFET栅极电路的常见作用
一、概述MOSFET是一种常见的电压型控制器件,具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点,因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动
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MOS管损坏的五种原因
第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回
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MOSFET简介、主要参数及驱动技术
MOSFET简介 ■MOSFET的全称为:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常称之为,金属-氧化层-半导体-场效晶体管.■
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MOSFET电子元件的基础知识
MOSFET,即金属氧化物半导体场效应晶体管,是半导体晶体管元器件中的一种,现已被广泛的应用。众所周知,晶体管有多种形状、尺寸和设计,但基本上所有晶体管都属于两大家族,分别是双极结型晶体管(BJT)和
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MOS管驱动在电源转换器中的应用
大家好,欢迎回到DCDC电源空间站。上一期我们介绍了MOSFET在电源转换器中的应用小知识,这一期我们将继续介绍与其紧密相关的MOS管驱动,希望对大家有所帮助:-MOS管驱动 -(MOSFET Dri
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自保护MOSFET提高了汽车电子设备的可靠性
汽车行业需要具有成本效益且完全可靠的电气系统,但这种严酷且具有潜在破坏性的环境对控制现代车辆中常见的无数功能所需的功率半导体器件提出了巨大挑战。如图 1所示,汽车电气设备可能会受到标称电池电压的极端变
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升压转换器如何工作
升压转换器如何工作?是时候深吸一口气了,我们即将深入电力电子的深处。我一开始就要说,这是一个非常有益的领域。要了解升压转换器的工作原理,您必须了解电感器、MOSFET、二极管和电容器的工作原理。有了这
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东芝推出具有低导通电阻的新款功率器件
-该系列产品包含1200V和650V两种规格-东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列
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场效应管MOSFET介绍及应用电路
前几天给大家讲了一下晶体管BJT,今天讲一下场效应管-MOSFET。场效应管MOSFET与BJT的不同之处在于BJT需要向基极引脚施加电流,以便于集电极和发射极引脚之间流动。另一方面,场效应管MOSF
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MOSFET的基本工作原理和特性
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内,半导体的另一个平面可以称为体端,所以在一些书籍和资料中,也将MOSFET称为
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耗尽型MOSFET的基本概念及主要类型
众所周知,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种电压控制器件,由源极、漏极、栅极和主体等端子构成,用于放大或切换电路内的电压,也广泛用于数字应用的IC。此外,MOSFET也用于放大器和滤波
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不同 IGBT 架构的高效电机驱动应用
在选择 IGBT 时,设计人员面临许多架构选择,这些选择可能会偏向于一种形式的 IGBT,例如对称阻断与非对称阻断。本文将回顾不同 IGBT 架构提供的设计选项。与具有类似额定电压的功率 MOSFET
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Si8239x汽车隔离器简介
Si8239x汽车隔离器是驱动各种电动汽车应用中使用的功率MOSFET和IGBT的理想选择。基于我们的汽车级生产和专有硅隔离技术,Si8239x隔离器提供了高抗噪性、低支撑延迟和偏斜、随温度和年龄变化
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BLDC电机换向的原理三相BLDC电机设计解析
无刷直流 (BLDC) 电机的日益普及是由于使用了电子换向。这取代了由刷子在换向器上摩擦以激励直流电机电枢中的绕组的传统机制。与传统直流电机相比,电子换向提供更高的效率,在相同速度和负载下运行的电机可