哎~~比如三氢化砷，三氢化磷，三氟化硼等等。。。都是气态但是还有固态Sb用来做N型搀杂，AS和红磷都是固态源但是这些固态的离子源都是要变成蒸气才进行植入的。关于使用方面，大概是这样的：1：P 扩散，离子植入，磊晶成长和多晶矽沉积时的N型搀杂物，CVD矽玻璃（PSG和BPSG）的搀杂物。2：AS扩散，离子植入，磊晶成长和多晶矽沉积时的N型搀杂源。3：SB离子植入N型搀杂源4：B 扩散，离子植入，磊晶成长和多晶矽沉积时的P型搀杂物，CVD矽玻璃（PSG和BPSG）的搀杂物。5：GE和GESI以及半导体基片非晶化植入用的GE离子源。至于使用什么元素做植入，主要看你的工艺来决定，P和AS原子量不一样，所以植入的深度和应用也不一样，而且你还要考虑这两种原子的阻滞机制，通道效应等等。[ Last edited by HERMAN on 2005-11-6 at 12:43 ]
1、新固态光源解决了寿命的问题，但是LED光源有亮度缺陷，激光光源则有色彩缺陷。
2、三色激光最大的好处就是亮度高且功耗低，不同控制室的环境光是不同的，采用三色固态激光光源后，即便是在日光条件下，都能看的很清楚。
P2O5；As2O3；BN；Al/Ga。固态源扩散的杂质源有P2O5；As2O3；BN；Al/Ga，硅太阳电池所用的主要的扩散杂质源有气态源、液态源、固态源等。气态源-磷化氢PH3磷化氢是无上留下一个空位。
