
其实这个道题目考的是你对电容器特性的理解,Rn变小意味着R1上的电压降变大,根据串联分压原理,那么总的电源电压减去R1上的电压变大,因此Rn上的电压下降,由于电容在Rn变小之前已经充电了,Rn变小,电容会通过R2->R3到电源负极形成放电;电容器在充满电后那条支路可以理解为断路,但注意实际电容器是有漏电的,因此电流非常小,可以这样理解;Rm变化时电容电压肯定不会变的,因为电容器已经充满了,它的支路的电流非常的小,可看做开路,调节Rm的大小不会影响电容两端的电压,且电容两端的电压只受Rn的影响,你可以理解为这个电容和电阻Rm的支路是并联在这个Rn上的。理解这道题的关键是电容放电的方向肯定是往低电位方向放电的,电容充满后相当于开路。
由q=It可知,在I-t图象中,图象与时间轴围成的面积表示电容器的放电量;
则通过查方格数可知,总电量约为:Q=40×02×04×10-3=32×10-4C;
则电容C=
| Q |
| U |
| 32×104 |
| 8 |
故选:B.
微分电容曲线上出现峰值的原因:因为微分电路的特性是输出脉冲信号的突变部分,而电路中电容的特性恰是两端电压不能突变,这就导致了输入正跳变时电容来不急充电相当于短路将输入直达输出。
Helmholtz模型只考虑电极与溶液间的静电作用,认为电极表面和溶液中的剩余电荷都紧密地排列在界面两侧,形成类似荷电平板电容器的界面双电层结构。两层之间的距离约等于离子半径,电势在双电层内直线下降,Helmholtz模型可以解释微分电容曲线的。
计算公式
一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法拉,即:C=Q/U 。但电容的大小不是由Q(带电量)或U(电压)决定的,即电容的决定式为:C=εrS/4πkd 。
其中,εr是相对介电常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d(ε为极板间介质的介电常数,ε=εrε0,ε0=1/4πk,S为极板面积,d为极板间的距离)。
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