
ev指的是电子伏特(electron volt),符号为eV,是能量的单位。
代表一个电子(所带电量为1.6×10-19C的负电荷)经过1伏特的电位差加速后所获得的动能。电子伏特与SI制的能量单位焦耳(J)的换算关系是1 eV = 1.6021766208(98)×10^-19 J。
质能转换
爱因斯坦提到一定的能量与一定的质量相对应,即有名的质能方程E=mc2。这在微观物理中的使用,质量和能量常可互换,使用eV/c2或甚至直接使用 eV 做为质量的一个单位,后者的使用时机,把光速c设为不具单位的1。
例如,一个电子及一个正子(电子的反粒子),都具有能量大小为511 keV,能对撞湮灭以产生1.022 MeV的能量。质子,一个标准的重子,具有能量0.938 GeV。
1 eV/c2 = 1.783×10-36 kg
1 keV/c2= 1.783 ×10-33 kg
1 MeV/c2 = 1.783×10-30 kg
1 GeV/c2 = 1.783 ×10-27kg
若做个比较,核爆中带电粒子的能量范围约在0.3至3 MeV。大气中分子的能量约为0.03 eV。
将粒子的能量从电子伏特转换到开氏温度时,要乘以11604.505(20)(请参阅玻尔兹曼常量)。
硅Si的价带顶能量Ev为1.1-1.3V。
对应波长:L=c/f = c/(E/h) = c*h/E。
这里E是光子能量,c是光速,h是普朗克常数。
取c=3*10^8m/s h=4.136*10^(-15)eV/s。
温度为300K时,硅的禁带宽度1.124V,则E=1.124eV。
得到对应波长为:L=1.104*10^(-6) = 1.104um。
也就是大概1.1um左右。
价带的能量低于导带
它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子(价电子)并不能导电,而少量的价电子空位——空穴才能导电,故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能,也就是价带顶,通常空穴就处于价带顶附近。
价带顶与导带底之间的能量差,就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。
是电子伏特电子伏特(electronvolt, eV)是能量的单位。代表一个电子(所带电量为e = - 1.6 * 10^(-19) coulombs (库伦))电位改变(增加)一伏特(volt)时所获得的动能量,或所损失的电位能的量。1 eV = 1.60217653(14) × 10^(-19) J欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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