
栅极是针对于电压驱动型器件来说的,至少是针对于具有MOS(金属+氧化物+半导体)结构的器件来说的,它指的是电压驱动型器件的控制端。
门极和栅极二者的英文翻译均为gate,简称均为G。
功率半导体器件,也叫电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。原理是:通过控制门极信号控制功率半导体器件的导通和关断。半控型器件,只可控制其导通,不可控制其关断。全控型器件,导通和关断都可控制。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

栅极是针对于电压驱动型器件来说的,至少是针对于具有MOS(金属+氧化物+半导体)结构的器件来说的,它指的是电压驱动型器件的控制端。
门极和栅极二者的英文翻译均为gate,简称均为G。
功率半导体器件,也叫电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。原理是:通过控制门极信号控制功率半导体器件的导通和关断。半控型器件,只可控制其导通,不可控制其关断。全控型器件,导通和关断都可控制。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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