
半导体激光器的
光谱线宽比气体激光器的要小,这是因为
半导体激光器的激发源是由半导体材料构成的,而气体激光器的激发源是由气体构成的。半导体激光器的激发源拥有更小的谐振腔,因此其光谱线宽更小。此外,半导体激光器的激发源也拥有更高的激发能量,从而使其光谱线宽更小。低温在半导体中的应用是研究红外光谱的重要手段之一。红外光谱技术在半导体材料的结构成份分析中有广泛的应用它比常温测量有许多优点如随着温度的降低半导体中杂质的特征吸收峰光大大减小,吸收峰变锐,峰值波数处的吸收系数大大增加因此可以较容易地同低温下减弱的晶格吸收宽带背景区分开来.从而提高检测灵敏度另外在低温高分辨下可观察半导体材料红外光谱的精细结构及其随温度。
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