怎样解释宽带隙和 窄带隙单体。。宽。窄指什么

一、带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。

带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体，例如GaN、SiN和ZnO。

小于3ev的就是窄带隙。

带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

二、宽窄的判定

宽是指>3ev 窄是指<3ev。

导体，半导体，绝缘体，通过能带理论区分的话，是根据带宽来区分的，也就是说倒带到价带之间的宽度，这个称谓带隙。导体的导带一般为半满或者空大，价带中的电子可以通过带隙到导带，因此称谓导体；绝缘体的倒带一般为满带，且带隙一般大于3.6ev，因此不能够形成电子的迁移；对于半导体导带一般为空带，但是带隙较窄一般为0.5-3.6ev，在有杂质能级或者物理场的作用下可以形成电子迁移，这个称谓半导体。

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