为什么P型半导体的电阻率比N型大

相同杂质浓度下，P型半导体电阻率是小于N型半导体电阻率的，因为P型半导体主要依靠空穴导电，N型半导体主要依靠电子导电。而在半导体内，空穴的迁移率远远小于电子的迁移率，常温下，硅中空穴迁移率为450cm/V/S，电子迁移率为1450cm/V/S，所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。举例来说，硅体内掺相同剂量的磷和硼，比如1E15cm-3，则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米，而掺硼的P型半导体电阻率则为10~15欧姆厘米。

如果是半导体电阻的话 没有

这就要说到 半导体导电的基本原理和随温度电阻变化的原理了

非金属元素的单一纯正集合体和杂质集合体。前者没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在原子形成共价键的过程中，缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴，原子内部为了补充空穴留下的空位就要移动附近的电子补充这个空穴，而电荷平衡处的电子被空穴结合走，就会再次留下一个空穴，如果这种无规律的空穴—电子效应被规律控制，那么就会形成宏观电流，空穴和自由电子合成自由载流子。你可以理解成导电的基本单位。而加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子—空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加，也就是电阻减小，这也是半导体热敏电阻和光敏电阻的基本原理。

既然说他是基本原理了，那么找一个升温能加大电阻的半导体就不可能了。

另外 你一定要找一个这样的电阻的话就不要锁定于半导体了 推荐金属 因为大多数的金属导体都符合升温电阻变大的要求，原理是晶格排列的问题，这里就不说了

（1）决定电阻率的因素：

电阻率与晶向有关。对于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个分量。特别，对于Si之类的具有立方对称性的晶体，电导率可以简化为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量都是如此）。

电阻率的大小决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ=1/ nqμ。对于掺杂浓度不均匀的扩散区的情况，往往采用平均电导率的概念；在不同的扩散浓度分布（例如高斯分布或余误差分布等）情况下，已经作出了平均电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。

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