物理工艺在光学镀膜中指的是什么？

使用机械的、机电的、热力的方法来产生形成固态薄膜.通常是物理气相沉积的方法Physical vapor deposition(PVD).以下是常见的物理镀膜工艺:

热蒸发镀膜(Thermal evaporation):将薄膜物质加热蒸发,在比蒸发温度低的基本表面上凝结成固体形成薄膜的方法.

电子束蒸发镀膜 (Electron beam evaporation)通过电子束轰击镀膜材料加热并使材料蒸发,并沉积在基板上.优点是加热集中,并能达到很高的温度来处理高熔点的材料.

离子束辅助沉积 (Ion assisted deposition IAD)类似于E-beam evaporation工艺,改善的地方是用离子束来导向及加速气化的镀膜材料,并且离子束在材料沉积的过程中帮助沉积以及使沉积膜紧密化,就像小小的锤子一样.

电阻加热蒸发镀膜(Resistive heating evaporation)通过高电流电阻加热使镀膜材料气化,不适用于高过1600度熔点的材料图片分子束外延Molecular beam epitaxy (MBE)

溅射镀膜(Sputtering):高能量的原子、分子与固体在碰撞后,原子会被赶出固体表面.这种现象称为溅射( Sputter )或者是溅镀( Sputtering ),被碰撞的固体称为靶材( Target ).通过高能量的原子、分子会反复碰撞,靶材会被加热,为了防止溶解,会从背面进行水冷.

传统溅射,通过高电压使靶材周围的氩气离子化,并通过高电位差获得加速,并轰击靶材表面,轰出表面的靶材原子积聚在基板上,形成薄膜.

射频溅射 RF sputtering,射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子或电子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板表面的技术.相比传统溅射的优点是不会产生正电荷积聚,降低电位差,从而终止溅射.

离子束溅射 Ion beam sputtering (IBS),来自于独立离子q的高能量离子束轰击靶材表面,溅镀好的材料沉积在基板上.其间形成着的镀膜化学计量和靶材一模一样.

脉冲激光沉积 (Pulsed laser deposition PLD):是一种利用聚焦后高功率脉冲激光对真空中靶材进行轰击,由于激光能量极高,使靶材气化形成等离子体Plasma plume,然后气化的物质沉淀在衬底上形成薄膜.

结语

这里给出的是半导体及光学镀膜工艺的一个最广泛的分类介绍.

IGBT的主要材料内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

目前半导体行业处境艰难，部分核心的芯片技术掌握在他国手中。国内每年付出高昂的代价从他国引进先进技术和核心部件以及产品。如今，伴随着进口方面受到限制，国产替代，自主创新迫在眉睫！

伴随着 科技 力量的全球化普及，日新月异的 科技 核心技术成为核心竞争力。 科技 的硬核当属半导体行业，并且半导体+芯片辐射到 科技 的各个领域！

我相信部分投资者对半导体领域的分类以及芯片的流程的了解不是很清晰，下面我们来进行分类，罗列出受制的核心领域，并逐一汇总。

半导体行业涉及的领域很多，比如存储器芯片、内存芯片、手机芯片、处理器CPU芯片、指纹识别芯片、摄像头芯片、互联网芯片、通信处理芯片、图形处理芯片、射频芯片、滤波器芯片元件、LED芯片、OLED芯片、人工智能芯片、无人驾驶芯片、北斗导航芯片等等。

在众多领域中，部分芯片技术具备一定的市场占有率，如指纹芯片的汇顶 科技 、人工智能芯片的寒武纪和超级计算机芯片的总参谋第五十六研究所、北斗导航芯片的华大半导体、LED芯片的三安光电、手机芯片的华为海思。

但是核心的领域，如 存储器芯片、通信处理芯片、图形处理芯片、射频芯片以及滤波器芯片元器件 等却寥寥无几，远远落后！以存储器为例，目前国内上市公司中除了华为海思外，最强大的当属兆易创新。但是即便是兆易创新，目前成熟的产品也只是国外已经不再用的Nor Flash代码型闪存芯片，第二代的NAND Flash数据型闪存芯片目前还不到1%的市场占有率，就更别提第三代3D NAND Flash。国外方面，目前美光、东芝、因特尔、荷兰的恩智浦以及韩国的海力士基本上瓜分了所有市场份额！

至于通信处理芯片、图形处理芯片、射频芯片以及滤波器都是 科技 的重点领域也同样处于被动的地位，相差无几。

通过对芯片进行分类，望投资者朋友们了解国内外的差距，进而寻找出落后的核心领域。也希望在政策的指引下，我们能尽快在关键领域研发出自主的半导体芯片！

众所周知，芯片的制作流程主要是三个方面：设计、制造和封装。其中，制造方面占据了大部分的市场空间。制造方面根据细分环节可以分为：切割、抛光、光刻、刻蚀、镀膜等方面。其中光刻和刻蚀是制造方面技术含量最高的环节，也是时下跟国外差距之所在。

相关的上市公司在芯片分类环节已有提及，目前国内核心的公司是华为海思和兆易创新。

靶材的江丰电子、光刻机领域的上海微电子、薄膜沉积设备的北方华创、等离子刻蚀的中微半导体、单晶硅生长炉的晶盛机电以及自动清洗设备的盛美半导体等等。

封测领域国内落后不太多，主要的上市公司是长川 科技 、长电 科技 、杨杰 科技 、通富微电等。

另外，封测领域也是集成电路产业基金一期重点布局的领域。

值得一提的是由于制造和设备方面落后的巨大差距，集成电路产业基金二期投入的重点领域便是半导体制造、设备以及现在要讲到的原材料领域。半导体行业涉及的原材料众多，主要分布在制程材料、封测材料和功率半导体等。

制程材料主要有抛光材料的鼎龙股份、靶材的江丰电子、湿电子化学品的上海新阳、电子气体的南大光电、光刻胶的强力新材等等

封测材料主要是键合丝的康强电子、陶瓷封装材料的三环集团、包装材料江苏中鹏、封装基板的深南电路等等。

功率半导体主要有绝缘栅双极型晶体管IGBT的捷捷微电、金属晶体管的长电 科技 、二极管的杨杰 科技 、氮化镓GaN器件的三安光电、碳化硅SiC器件的华润华晶微电子等等。

除此之外，PCB基板方面主要的对象是深南电路。

值得一提的是，代工厂方面，中芯国际目前14纳米技术已经实现量产。前期由于台积电给华为供货受到限制，华为只能在14纳米领域寻找中芯合作，再此也希望中芯国际能早日实现国产替代，增加国际影响力和市场占有率。

到这里，半导体行业的各个环节就介绍完了，由于各方面上市公司众多，文中提及的都是各细分领域的龙头个股，请各位理解！

文中所述半导体行业分类及汇总皆为本人研究和统计所得，谢绝转载等各种形式复制！另外，文中个股仅供研究和参考，不作为买卖建议！

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