
多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
法一:书上有图,可以通过图查的数据法二:p=1/(nqμn+pqμp),根据掺杂类型该式可以简化,然后根据半导体材料和温度大致知道载流子的迁移率,可以求得掺杂浓度。推荐法一,有疑问可以追问或者百度hi哦,满意请采纳o(∩_∩)o欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

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法一:书上有图,可以通过图查的数据法二:p=1/(nqμn+pqμp),根据掺杂类型该式可以简化,然后根据半导体材料和温度大致知道载流子的迁移率,可以求得掺杂浓度。推荐法一,有疑问可以追问或者百度hi哦,满意请采纳o(∩_∩)o欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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