温度、压力，还有什么外界因素对半导体的导电性能有很大影响？

温度升高可以加强半导体内部的本征激发强度，借以增大其内部载流子的浓度，此时半导体的导电能力增强；半导体有一种压阻效应，就是随着加载在半导体上的压力变化，半导体的电阻率会随之变化，且二者具有正比关系，此时表现为，压力越大，半导体的导电性能越弱；掺杂即在制作半导体时在其内部掺入相应的杂质元素，这个对半导体的导电能力是具有决定性作用的，如果掺入的是五价元素如磷或砷等，那么在形成共价键的时候就会有一个多余的自由电子，此时半导体内部就会有大量的电子作为载流子，故名n型半导体（negative），若是掺入三价元素，此时半导体内部的四价元素就会有一电子无法成键，形成空穴，空穴带正电性，所以名为p型半导体···目前改善半导体导电性的应该就是这几种方法吧···其余的即使有也是很偏的，用处很少的~

高压线上的半导体作用是：当屏蔽层

在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这一层屏蔽为内屏蔽层，同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙，是引起局部放电的因素，故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的绝缘层有良好接触，与金属护套等电位，从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电，这一层屏蔽为外屏蔽层，

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

一般的压力很难引起原子层面的变化，仅可能从金属（或其他材料）晶体结构方面引起变化，这种变化或许可以引起导电性变化（压力传感器），但不是电子的变化，另外，金属晶体导电也不是简单地因为源自外层电子问题，而是整个晶体结构中原子核与电子的整体布局造成的。

能使原子层面发生改变的压力一般是指核反应所产生的压力，比如使用裂变产生的压力降氘原子核挤压靠近而发生核聚变。

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