半导体蒸发台原理

将金属颗粒如：铝，黄金等加热至气态，在充满N2气体的环境下，蒸发到腔内上方圆片表层，圆片固定在行星盘内不停旋转。这种工艺一般用于熔点较低的金属，优点是表面金属膜比磁控溅射平台的工艺更加均匀，缺点也显而易见，镀膜耗材比较浪费

半导体bgbm。

1、BG：是背面减薄(BacksideGridding)，采用In-Feed削磨的方式，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能，减小封装体积，及划片加工量。

2、BM：是背面金属化(BacksideMetallization)，使用电子束产生高温蒸发金属，使金属原子在真空中直线运动，沉积在晶圆上，实现晶圆背面金属化。

三星半导体的八大工艺包括：1、热处理；2、光刻；3、金属化学气相沉积（MOCVD）；4、电镀/电子束蒸镀(EBL) ；5、表面处理/封装 ；6、测试/可靠性测试 ；7 、切割/打样 ；8 、回收。

---