掺杂半导体中本征载流子和少数载流子的关系

成立

本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度，且n=p=ni，且np=ni平方。

而有杂质时np=ni平方仍成立，以n为多子，注，此时无本征载流子ni，都是热平衡载流子n0，p0。它们乘积=无杂质时ni平方。

温度。 导体在任何温度下，都将遵从热平衡条件：np=ni2。因此多数载流子与少数载流子是相互制约着的。多数载流子主要来自于掺杂，而少数载流子都来自于本征激发（属于本征载流子）。当通过掺杂、增大多数载流子浓度时，则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加，将使得少数载流子浓度减小；当升高温度，少数载流子浓度将指数式增大，并且它与多数载流子相互复合的机会也增加，仍然维持着热平衡关系。在温度不是很高时，增加的本征载流子浓度将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度，因此对于多数载流子而言，可以认为其浓度基本上就等于掺杂浓度，与温度的关系不大。当然，在温度高到使得本征载流子浓度增大到等于或大于多数载流子浓度时，就变成以本征载流子导电为主的半导体了，即为本征半导体，这时掺杂的贡献即可忽略了。

本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的，一般数量不多（随温度而指数函数式增大）。

但是，掺入施主杂质或者受主杂质以后，则杂质可提供大量的电子或者空穴，这就是多数载流子；这时，还是存在少数载流子，那就是本征激发出来的一些载流子。

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