导体、半导体、绝缘体中哪个的霍尔系数最大 , 哪个最小? 为什么?

导体指数最小杯那是对店是一脚都捅过去了。半导体那肯定是。

因为霍尔系数近似与载流子浓度成反比，所以半导体的霍尔系数要大于导体的霍尔系数；而半导体的载流子浓度与温度的关系较大（特别是在较低温度或者较高温度时变化更大），因此半导体的霍尔系数受到温度的影响也较大。绝缘体没有霍尔效应。

扩展资料：

电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。除导体外，半导体也能产生霍尔效应，而且半导体的霍尔效应要强于导体。

当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。

参考资料来源：百度百科-霍尔系数

半导体通常是指导电率介于导体与绝缘体之间的材料。电导率的范围是：10＾（－8）→10³ （西门子／厘米）。

电导率低于10＾（－8）西门子／厘米）的材料称为绝缘体。电导率高于10³（西门子／厘米）的材料称为导体。所有的导体都有大量的自由电子。电阻是指导体内阻碍电流流动的能力，电阻率越大，阻碍电流的能力就越强．电导率的倒数就是电阻率。

扩展资料：

半导体的分类：

1、元素半导体：

元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。

2、无机合成物半导体：

无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族；V族与VI族；VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响。

不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。

3、有机合成物半导体：

有机化合物是指含分子中含有碳键的化合物，把有机化合物和碳键垂直，叠加的方式能够形成导带，通过化学的添加，能够让其进入到能带，这样可以发生电导率，从而形成有机化合物半导体。这一半导体和以往的半导体相比，具有成本低、溶解性好、材料轻加工容易的特点。

4、非晶态半导体：

它又被叫做无定形半导体或玻璃半导体，属于半导电性的一类材料。它主要是通过改变原子相对位置，改变原有的周期性排列，形成非晶硅。晶态和非晶态主要区别于原子排列是否具有长程序。非晶态半导体的性能控制难，随着技术的发明，非晶态半导体开始使用。

参考资料来源：百度百科-半导体

我来回答一下，本人某电微电子科学与工程专业，有表述不当之处，望批评指正。影响半导体禁带宽度的因素主要有两种：温度与掺杂浓度。（以si、Ge、GaAs半导体为主）1、半导体禁带宽度具有负温度系数： 从原子到晶体，经过价键杂化（即：sp3杂化），一条原子能级一般对应多个能带。当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的。（这里解释一下，虽然原子间距增大了，并且能带宽度变窄了，但是此时有多条能带，相对来说，禁带宽度是变小的）；2、掺杂浓度升高时，由于杂质能级的出现，可能导致禁带宽度变窄：其实这一点从本质来解释是不太好理解的，我这里举个例子，再给出我个人的一些理解，希望可以帮助你理解这一点。例：在BJT中，发射区高掺杂会导致禁带宽度变窄。我个人理解是，有了杂质能级的加入，导电性增强，就像把禁带宽度一分为二，原先的阻碍减少了一部分，相当于禁带宽度变窄了。（纯属个人理解）

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