杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用

1) 本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。绝对零度时价带被价电子填满，导带是空的。

2) 随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加，在本征时器件不能稳定工作。而对于掺杂半导体，室温附近载流子主要来源于杂质电离，在杂质全部电离的情况下，载流子浓度一定，器件就能稳定工作。所以，制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料，而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就会失效。

3) 杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用：是半导体Si\Ge的导电性能发生显著的改变。

希望能够帮到你，满意请采纳，谢谢o(∩_∩)o

还有疑问可以百度hi我！

Si元素是硅元素。

硅的原子序数14，相对原子质量28.0855，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上第三周期，IVA族的类金属元素。

硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%，仅次于第一位的氧（49.4%）。

答：1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；

2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；

3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),

声学波散射：τs∝T^(-3/2),

光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

希望可以帮到你o(∩_∩)o ，还有疑问可以追问或者百度hi我哦~

满意请采纳，谢谢！

---