
半导体气敏陶瓷的导电机理主要有能级生成理论和接触粒界势垒理论。按能级生成理论,当SnO2、ZnO等N型半导体陶瓷表面吸附还原性气体时,气体将电子给予半导体,并以正电荷与半导体相吸,而进入N型半导体内的电子又束缚少数载流子空穴,使空穴与电子的复合率降低,增大电子形成电流的能力 ,使陶瓷电阻值下降;当N型半导体陶瓷表面吸附氧化性气体时,气体将其空穴给予半导体,并以负离子形式与半导体相吸, 而进入N型半导体内的空穴使半导体内的电子数减少,因而陶瓷电阻值增大。接触粒界势垒理论则依据多晶半导体能带模型,在多晶界面存在势垒,当界面存在氧化性气体时势垒增加,存在还原性气体时势垒降低,从而导致阻值变化。
常用的气敏陶瓷材料有SnO2、ZnO和ZrO2。SnO2气敏陶瓷的特点是灵敏度高,且出现最高灵敏度的温度Tm较低(约300℃),最适于检测微量浓度气体,对气体的检测是可逆的,吸附、解析时间短。ZnO气敏陶瓷的气体选择性强。ZrO2系氧气敏感陶瓷是一种固体电解质陶瓷的快离子导体。因ZrO2固体中含有大量氧离子晶格空位,因此,造成氧离子导电。
可以形成棕色、绿色、深蓝色釉。氧化镍在釉中有很宽的成色范围,可以形成棕色、绿色、深蓝色釉,氧化镍在釉中产生多种色彩,但它最有代表性的是棕色。
氧化镍系气敏陶瓷是指具有气敏效应的氧化镍系半导体陶瓷。
气敏陶瓷通常分为半导体式和固体电解质式两大类。
按制造方法又分为烧结型、厚膜型和薄膜型。
制造方法又分为烧结型、厚膜型和薄膜型。
按材料成分分为金属氧化物系列( ZnO、材料成分分为金属氧化物系列(SnO2、ZnO和复合氧化物系列(通式为ABO Fe2O3、ZrO2)和复合氧化物系列(通式为ABO3)。
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