什么是n型半导体？什么是p型半导体？它们是怎样形成的？帮我回答，谢谢。

一、N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加。

二、P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

扩展资料：

如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。

在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。

参考资料来源：百度百科-P型和N型半导体

N型半导体就是导电载流子是电子，P型半导体就是导电载流子是空穴。N型半导体中之所以是电子导电是因为其在本征半导体基础上进行了施主掺杂（例如在本征Si中掺入5价的磷元素） 而P型半导体中之所以是空穴导电是因为其在本征半导体基础上进行了授主掺杂（例如在本征Si中掺入3价的硼元素） Si为4价所以假设要想把磷掺杂量为X的N型半导体转为P型当然就是在此N型半导体中掺入大于X量的磷（当然具体掺杂量与工艺及材料有关）半导体的掺杂等工艺要在超净间中进行，掺杂是半导体工艺中的一步，主要的掺杂方法有离子注入和热扩散

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