用霍尔位置传感器法测量位移有什么优点

用霍尔位置传感器法测量位移的优点如下：

1、结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动。

2、不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。

3、霍尔线性器件的精度高，线性度好；

扩展资料：

在一块通电的半导体薄片上，加上和片子表面垂直的磁场b，在薄片的横向两侧会出现一个电压，如图1中的vh，这种现象就是霍尔效应，是由科学家爱德文·霍尔在1879年发现的。

这种现象的产生，是因为通电半导体片中的载流子在磁场产生的洛仑兹力的作用下，分别向片子横向两侧偏转和积聚，因而形成一个电场，称作霍尔电场。霍尔电场产生的电场力和洛仑兹力相反，它阻碍载流子继续堆积，直到霍尔电场力和洛仑兹力相等。

这时，片子两侧建立起一个稳定的电压，这就是霍尔电压，这个半导体薄片称为霍尔元件。 霍尔元件可用多种半导体材料制作，如ge、si、insb、gaas、inas、inasp等等。

1、半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。

2、原理简述如下：激励电流I从a、b端流入，磁场B由正上方作用于薄片，这时电子e的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力FL的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多，FE也越大，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电势。

3、由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。

你可以试试用easyrecover这个恢复数据的软件。你要先确定你的照片是存在手机内存里还是外加的存储卡里面。我的一般办法是先把那个盘（手机内存或者存储卡）格式化，然后再用这个软件执行“从格式化中恢复数据”这个 *** 作。

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