两年，超500亿灰飞烟灭！“芯骗”坑国的武汉弘芯们还在继续

文 | 特约作者张小星

编辑 | 浅夏

来源 | 新10亿商业参考

（ID：xsy-shangyecankao）

三年前，武汉弘芯成立，扬言投资1280亿研发芯片，欲比肩台积电，掀起一场轰轰烈烈的造"芯"运动；

三年后，烧完153亿元，武汉弘芯工程停滞，几近烂尾，分包商、工人被欠款后，投诉无门。

其幕后大股东从业经历与半导体无半点关系，竟撬动了千亿半导体项目，获得武汉政府垫资。

国内芯片产业似乎进入大跃进阶段，"弘芯"事件并非个例。成都格芯、南京德科码、贵州华芯通、山西坤同半导体……不少半导体项目烧了巨款后，归于沉寂。

半导体是个回报周期长，资金需求量巨大的产业，只能稳中求进。"弘芯"过后，国内造"芯"事业，再次迷航。

01

千亿项目"弘芯"停摆

中美博弈风口浪尖上，芯片国产化成了当务之急。芯片风口下，国内芯片投机分子蠢蠢欲动，借机挥下镰刀。

近段时间，投资额高达1280亿元的武汉重点项目武汉弘芯曝出"烂尾"，事件引发 社会 高度关注。

2017年11月，武汉弘芯出世。据介绍，该项目聚集了全球的半导体晶圆研发制造专家，拥有先进的逻辑工艺和晶圆级先进封装技术经验，未来预计建成14纳米和7纳米两条逻辑工艺生产线，月产量均达到每月3万片，且员工人数至少达到1000人规模。

要知道，现在能够实现7纳米芯片量产的企业只有台积电与三星， 武汉弘芯一上来就直接把自己定位在了全球第三的位置。

除此之外， 弘芯还请来了台积电创始人张忠谋的左膀右臂、台积电"二号人物"蒋尚义出任CEO。

在台积电多年任职期间，蒋尚义曾将研发团队从400人扩编至7600人，打造出世界级研发团队，引领台积电从技术追随者为技术领导者，是名副其实的"行业大牛"。

恰恰由于蒋尚义坐镇，不少台积电人才转向大陆。去年以来，大陆从台积电挖走100多名经验丰富的工程师和管理人员，其中有一半去了武汉。

有国内媒体曾援引《日经亚洲评论》报道称， 弘芯提供的工资待遇超出想象，是台积电薪酬和奖励总金额的2~2.5倍 。

这一度让台积电十分紧张。

蒋尚义加持下，弘芯又购入了价值6亿元的EUV（极紫外线）光刻机，这个光刻机仅荷兰ASML才可以生产，台积电和三星的光刻机也都来自ASML。

EUV光刻机稀有昂贵，有消息表明中国仅购买了2台，武汉弘芯就成功拿下1台，这让它一时间晋为芯片界明星项目。

在2019年底ASML光刻机进厂仪式上，背景板上写着"弘芯报国，梦圆中华"。

2018年、2019年，武汉弘芯连续入选湖北省级重点建设项目，风光无限。

2020年4月武汉市发改委发布的《武汉市2020年市级重大在建项目计划》中，武汉弘芯半导体项目仍然以1280亿元的总投资额位列第一， 截至2019年底已完成投资153亿元，2020年计划投资87亿元。

但就在大家抱以无比期待的2年等待后，等来的却是弘芯的爆雷。

今年6月，媒体传出蒋尚义萌生退意，他对外回应的是"公司是有些问题待解决"。

紧接着，7月30日，一份来自武汉市区政府网站意外披露的消息，将武汉弘芯推至风口浪尖，网站中关于投资建设的报告显示， 武汉弘芯项目"存在较大资金缺口，随时面临资金链断裂大致项目停滞风险"。

该报告还指出，弘芯二期用地一直未完成土地调规和出让，项目缺少土地等材料，不能上报给国家发改委窗口指导，导致其他股权基金无法导入。

资金捉襟见肘，欠款丑闻甚嚣尘上。

武汉弘芯拖欠总包商武汉火炬建设集团有限公司数亿工程款，还拖欠了分包商武汉环宇基础建设公司4100万工程款。

被二者诉至法庭后，弘芯公司账户因此冻结，二期价值7530万元的土地使用权被法院裁定查封三年。官司还在进行中。

针对此事，武汉弘芯去年11月公开声明，公司按期足额支付总承包商火炬集团工程款，而火炬集团与武汉环宇间属于内部结算纠纷。

至此，拖欠分包商工程款、工人工资，款项至今没有着落，武汉弘芯几近停摆，千亿项目灰飞烟灭。

其实，在爆雷之前，弘芯已有迹象，这直接体现在员工招聘和收入上。

去年起，网上百度贴吧和知乎上很多准员工称收到offer后，公司迟迟没有通知入职，现有员工公积金缴纳比例也从12%降至8%。

另外，有记者发现武汉弘芯"作假"，其购买并不是光刻机EUV，而是DUV（深紫外光）光刻机。

如今，这台光刻机在"全新尚未启用"的情况下，就以5.8亿抵押给了银行等着落灰。

而弘芯现有员工因为无法投入生产，只能每天坐在办公室写写PPT。

02

弘芯背后神秘丽影

回顾三年前武汉弘芯诞生之际，扬言要在国际芯片市场上弯道超车，凭借起步7nm工艺技术，一举比肩台积电。眼前的弘芯壮志未酬，身先死。

弘芯幕后人物一直像影子般存在。天眼查显示，武汉弘芯注册资本20亿元，目前实缴资本为2亿元。

这2亿元全部来自于持股10%的股东之一武汉临空港，武汉临空港的钱是武汉东西湖区国有资产监督管理局出的，也即国有资本。

而 持股90%、需提供18亿元的大股东北京光量蓝图 科技 有限公司实缴资本却为0。

20亿注册资本一分没出，空手套白狼。在此之下，政府资金一旦烧完，资金链立刻崩溃。

北京光量蓝图非常神秘，公司成立于2017年11月2日，早于武汉弘芯半个月。公司成立之初，龙伟、曹山均是分别任董事长和董事，在2019年1月两人从武汉弘芯董事名单中退出，之后李雪艳出任董事长、莫森进入董事。

据了解，曹山本身从事半导体行业，担任6家半导体公司法人、执行董事职务，布局半导体行业两年多时间。由此看出，光量蓝图一开始具备从事半导体能力。

然而，当曹山退出后，光量蓝图成了名副其实的空壳公司。李雪艳原先投资生态 科技 、买烧酒、办餐饮、盖园林，从业背景与半导体无半点联系，创办武汉弘芯前半个月创立了光量蓝图，项目至今未投入任何资金，一直在烧政府的钱。

而莫森则未查到任何与半导体有关的从业背景。

两个从未接触过半导体的人，竟然做了一千多亿的半导体项目，令人匪夷所思。

剥开迷雾，结合前文层层梳理，也即 李雪艳等人成立了空壳公司光量蓝图，再通过空壳公司拿到成都政府重点项目武汉弘芯，弘芯又通过总包商"武汉火炬建设"将债务和风险转移给了待贷款银行、分包商和供应商。

如此一来，他们不投资便获得一大笔收益。

去年7月和11月，光量蓝图因未及时公布年报和登记经营场所无法联系，被列入经营异常名录企业。

再看武汉弘芯，即便该公司股权结构清晰，细究之后也是疑窦重重 。两位离开的关键人物中，曹山从业背景已介绍过，而龙伟实则是庆安贸易总经理、法人。

庆安贸易曾投资过成都海威华芯 科技 有限公司，早就开始布局芯片产业，武汉弘芯是其第二次投资人芯片项目。

公司在龙伟之前的投资人为刘亚苏，关于此人的相关新闻中常见军方背景，再加上庆安贸易名字与军工企业庆安集团高度关联，可见庆安贸易并不简单。

有媒体在文章中也用了 "传闻称弘芯背后大股东资金来源或具有军方背景" 的话加以描述，武汉弘芯并未给予过回应，更显其神秘性。

"烂尾"消息曝出，被寄予厚望的民族企业瞬间成了骗局，政府、承包商、供应商、工程师、员工惨遭重击。让人唏嘘不已。

03

国内半导体"大跃进"

中国的芯片设计企业数量世界第一，实际设计水平也达到世界第二名。但制造是短板，很多材料全部依赖进口。

2019年，中国芯片进口额高达3040亿美元，远超排名第二的原油进口额。

经历过华为、中兴事件后，中国未来加大芯片领域投入，除了相关免税政策外，还牵头创办实验室，很多大基金趋之若鹜。

中科院表示，美国"卡脖子"清单变成科研任务，将进行全面布局。在此背景下，若中国芯片能崛起，可谓是"涅槃重生"。

但资本家们纷至沓来，引起的却是大量企业在全国各地画大饼、投资圈钱圈地，地方政府忽视项目真实情况，虚假项目大行其道，爆雷事件接踵而至。

记者采访了行业观察者张昊（匿名），其表示"一个未来存在很大机会的行业，肯定会引来很多人投资发展"。

近两年，类似武汉弘芯爆雷事件的还有：

另据《瞭望》报道，在短短一年多时间里，分布于我国江苏、四川、湖北、贵州、陕西等 5 省的 6 个百亿级半导体大项目先后停摆。“芯骗”坑国的武汉弘芯们还在继续……

国内造"芯"事业屡屡遇阻，张昊表示，"其实多年前也有过很多类似的失败案例，只是近期发生的事件频频被爆出，才感觉很多。"

针对这些被看做"骗局"的半导体项目，"一些项目一开始想得过于远大，中途发现做芯片难度太大，自身研发能力不足，最后做不下去了。"从而演变成骗局。

半导体及其耗资且回报周期长，需要一代人二三十年沉下心做研究，国内第一芯片代工厂中芯国际，苦熬20年才实现14nm工艺产量，新生代企业挑战7nm工艺，谈何容易；中科院换道 探索 20年研发出碳基芯片也绝非一蹴而就。

反观国内投资，多数追求短期回报，一些项目借此大肆圈钱。

还有一种情况，"项目方根本没有做好准备，想利用政府资源整合，获得融资发展机会，到最后发现做不下去了。"还有一种可能， "或许从最初就是一场骗局。 "

数据显示，中国在2019年仅本土生产了其国内使用所需半导体的16％，可见，距离实现半导体行业的自给自足和全球领导地位的目标还很遥远。

动辄以十年计算回报周期的芯片行业，单靠政府土地优惠政策远远不够，企业在没有盈利前，"活下去"才是战略重点。

半导体雪崩光电二极管 具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。 当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。 碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示 M＝1/[1-(V/VB)n] 式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。1965年，K.M.约翰逊及L.K.安德森等分别报道了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的半导体雪崩光电二极管。从此，雪崩光电二极管作为一种新型、高速、灵敏的固态光电探测器件渐渐受到重视。 性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是绝对理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很广泛的几率分布,因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。一般将光电流中的均方噪声电流〈i戬〉表示为 〈i戬〉＝2qI0嚔2F(嚔)B 式中q为电子电荷,B为器件工作带宽，F(嚔)表示雪崩倍增过程所引起噪声的增加，称为过剩噪声因子。一般情况下,F随嚔的变化情况相当复杂。有时为简单起见，近似地将F表示为F＝嚔x,x称为过剩噪声指数。F或x是雪崩光电二极管的重要参数。 由于F大于1，并随嚔的增加而增加，因而只有当一个接收系统（包括探测器件即雪崩光电二极管、负载电阻和前置放大器）的噪声主要由负载电阻及放大器的热噪声所决定时，提高雪崩增益嚔可以有效地提高系统的信噪比，从而使系统的探测性能获得改善；相反，当系统的噪声主要由光电流的噪声决定时，增加嚔就不再能使系统的性能改善。这里起主要作用的是过剩噪声因子F的大小。为获得较小的F值，应采用两种载流子离化能力相差大的材料，使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽层，并合理设计器件结构。 载流子在耗尽层中获得的雪崩增益越大，雪崩倍增过程所需的时间越长。因而，雪崩倍增过程要受到“增益-带宽积”的限制。在高雪崩增益情况下,这种限制可能成为影响雪崩光电二极管响应速度的主要因素之一。但在适中的增益下，与其他影响光电二极管响应速度的因素相比，这种限制往往不起主要作用，因而雪崩光电二极管仍然能获得很高的响应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。 与一般的半导体光电二极管一样，雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于半导体材料的禁带宽度。制备雪崩光电二极管的材料有硅、锗、砷化镓和磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔体。根据形成耗尽层方法的不同,雪崩光电二极管有PN结型(同质的或异质结构的PN结。其中又有一般的PN结、PIN结及诸如 N+PπP+结等特殊的结构)、金属半导体肖特基势垒型和金属-氧化物-半导体结构等。 与真空光电倍增管相比，雪崩光电二极管具有小型、不需要高压电源等优点，因而更适于实际应用；与一般的半导体光电二极管相比，雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快等优点，特别当系统带宽比较大时，能使系统的探测性能获得大的改善。

芯片股溃不成军，芯片巨头AMD收跌14%。

行业巨头的市场价值仍然稳定在相对平衡的位置，因为行业巨头使用的是高端芯片，而不是技术含量较低的低端芯片。事实上，不仅AMD在下跌，整个美国股市也在下跌。特别是，科技股遭受了巨大损失，而中国的概率股也大幅下跌，因为芯片实际上面临着一个小小的困境。尽管芯片仍有市场和未来，但在这段时间内，芯片市场总体上已接近饱和。对PC和移动终端的需求不大。

这并不意味着整个趋势可以逆转。许多公司与AMD一起下跌。竞争对手Nvidia和Intel分别下跌8%和5%，但AMD进一步下跌，amd的下降不仅是由于总体环境，还因为它在此期间对第三季度财务报告提出了预期。尽管与上一季度相比仍在增长，但增长并未达到最初的预期。因此，基于这一表现，AMD的股价下跌了很多。事实上，AMD的股价已经非常高，已经上升到与英特尔之前相同的水平。

虽然AMD尚未在其核心业务领域击败英特尔，但也可以看出投资者对AMD的未来非常乐观。这种下降也给AMD降温，AMD的后续发展仍然值得期待，芯片价格的“雪崩”实际上是由于手机、DIY市场和其他芯片使用量很大的地方的需求减少，导致上游制造商的订单减少，然后取消了一些订单。因此，半导体加工制造商的产能被耗尽。他们认为生产能力不够的低端芯片的价格急剧下跌。

因为这些芯片的生产能力由于技术原因不够，只是因为加工厂的装配线位置不够。如果装配线这次有位置，价格自然会雪崩。当然，只有这些低端芯片崩溃了。高端芯片的价格仅略有下降，因为其他芯片仍存在技术壁垒。

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