原因：盐被称作“Salt值”，这个值是由系统随机生成的，并且只有系统知道。即便两个用户使用了同一个密码，由于系统为它们生成的salt值不同，散列值也是不同的。MD5算法的原理可简要的叙述为：MD5码以512位分组来处理输入的信息，且每一分

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的 *** 作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，目前常

30ps。雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件，击穿时间是从30ps到2ms。整流二极管掺杂浓度没有这么高，PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。反向电场加大后,载流子动能加大,

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结

APD倍增因子M的计算公式很多，一个常用的公式为 M=11-(vvB)n式中: n 是由P-N 结材料决定的常数V B 为理想反向偏压V 为反向偏压的增加值。对于Si 材料,n =1. 5 ～ 4 对于Ge 材料n = 2. 5～8 。

密勒效应（1）基本概念： 密勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的最基本结构是PN结，以及硅绝缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物

当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢

挪威 科技 大学（NTNU）研究小组开发了一种使用半导体纳米线材料制造超高效率太阳能电池的方法。如将其用于传统的硅基太阳能电池，这一方法有望以低成本将当今硅太阳能电池的效率提高一倍。该研究论文发表在美国化学学会期刊《ACS光子学》上。

pn结击穿(electricalbreakdownofp-njunction)对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的'击穿电压。击穿

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结

为什么to252功率器件要测雪崩，因为在一些极端的边界条件下的实际应用中，如系统的输出短路及过载测试，输入过电压测试以及动态的老化测试中，有时会发生过压的损坏。过压损坏通常直接理解为雪崩失效损坏，因为雪崩的过程伴随着过压的现象。因此，在功率

今年的芯片行业跟去年的供不应求相比，形成冰火两重天的情况。去年因为芯片荒，造成手机价格暴涨。今年的多款芯片价格雪崩，甚至部分芯片价格骤降90%，其主要原因是消费市场萎靡，消费类电子控制芯片从百元跌至两位数。前两年，受新冠疫情的影响，芯片地

隧道击穿和雪崩击穿是pn结两种不同的击穿机制。pn结在反向高压下会发生击穿。其中雪崩击穿指势垒边缘扩散进势垒区的电子和空穴在高场下加速，获得极大动能。它们与势垒区的晶格原子碰撞，使其价电子电离，获得新的自由电子和空穴，由此1生2,2生4，载

这个说法是不准确。首先雪崩击穿和热击穿发生机理不同；热击穿是因为热而导致电流增大从而损坏；而雪崩击穿是因为反偏电压高而产生雪崩倍增效应从而导致损坏。 半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件由于热而导致烧毁（而不是热击穿，此时未

行业巨头的市值还是稳定在一个较为平衡的位置，因为行业巨头们玩的是高端芯片，而不是那些技术含量低的低端芯片，怎么可能价格也会跟着骤降。这次的芯片价格“雪崩”，其实是因为手机、DIY市场等这些芯片使用量比较大的地方需求减少，导致上游的产商订单减

有媒体形容这份英伟达财报堪称“雪崩”，这样说的原因如下。一、英伟达财报堪称“雪崩”半导体巨人英伟达公司在美国股票开市之前发布了一份比预计要差很多的业绩报告。一些媒体将其业绩差距描述为“雪崩”。何出此言呢？英伟达公布的第二季度收入预计为

雪崩电流在功率MOS管的数据表中表示为IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。在测试过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，也就是功率MOS管开通的时间增加，然后关断，直到功率MOSFET损坏，对应的最大电流值就是最大的雪崩电流

半导体雪崩光电二极管 具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和