长电 科技 是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。
通过高集成度的晶圆级（WLP）、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的倒装芯片和引线互联封装技术，长电 科技 的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用，包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长电 科技 在全球拥有23000多名员工，在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，在逾22个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。
随着市场对便携式移动数据访问设备的需求快速增长，市场对功能融合和封装复杂性的要求也在提升。同时对更高集成度，更好电气性能、更低时延，以及更短垂直互连的要求，正在迫使封装技术从 2D 封装向更先进的 2.5D 和 3D 封装设计转变。为了满足这些需求，各种类型的堆叠集成技术被用于将多个具有不同功能的芯片集中到越来越小的尺寸中。
长电 科技 积极推动传统封装技术的突破，率先在晶圆级封装、倒装芯片互连、硅通孔(TSV)等领域中采用多种创新集成技术，以开发差异化的解决方案，帮助客户在其服务的市场中取得成功。
3D 集成技术正在三个领域向前推进：封装级集成、晶圆级集成和硅级集成。
• 封装级集成
利用常规的焊线或倒装芯片工艺进行堆叠和互连，以构建传统的堆叠芯片和堆叠封装结构，包括：
堆叠芯片 (SD) 封装 ，通常在一个标准封装中使用焊线和倒装芯片连接，对裸片进行堆叠和互连。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。
层叠封装(PoP) ，通常对经过全面测试的存储器和逻辑封装进行堆叠，消除已知合格芯片 (KGD) 问题，并提供了组合 IC 技术方面的灵活度。倒装芯片 PoP 选项包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。
封装内封装 (PiP) ，封装内封装 (PiP) 通常将已封装芯片和裸片堆叠到一个 JEDEC 标准 FBGA 中。经过预先测试的内部堆叠模块 (ISM) 接点栅格阵列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探测合格芯片 (KGD)，通过线焊进行堆叠和互连，然后模塑形成一个与常规FBGA封装相似的 CSP。
3D 晶圆级集成 (WLP) 使用再分布层和凸块工艺来形成互连。晶圆级集成技术涵盖创新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 选项，包括：
嵌入式晶圆级 BGA(eWLB) - 作为一种多功能的扇出型嵌入式晶圆级 BGA 平台，eWLB 灵活的重建制造工艺可以降低基板的复杂性和成本，同时在一系列可靠、低损耗的 2D、2.5D 和 3D 解决方案中实现高性能、小尺寸和非常密集的互连。长电 科技 的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解决方案包括多个嵌入式无源和有源元器件，提供面对背、面对面选项，以及单面、1.5 面、双面超薄 PoP 配置。对于需要全 3D 集成的应用，长电 科技 的面对面 eWLB PoP 配置通过 eWLB 模塑层，在应用处理器和存储器芯片之间提供直接的垂直互连，以实现高带宽、极细间距的结构，其性能不逊色于 TSV 技术。
包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一种创新的 FIWLP 封装，采用扇出型工艺，也称为 FlexLine 方法，来构建这种创新、可靠的包封 WLCSP 封装。
WLCSP - 标准晶圆级 CSP 封装。随着各种工艺技术的发展，例如低固化温度聚合物、将铜材料用于凸块下金属化 (UBM) 和 RDL，我们可以实现更高的密度，提高 WLCSP 封装的可靠性。
在真正的 3D IC 设计中，目标是将一个芯片贴合在另一个芯片上，两者之间没有任何间隔（无中介层或基材）。目前，“接近 3D”的集成通常也称为 2.5D 集成，其实现方法是使用薄的无源中介层中的硅通孔 (TSV)，在封装内部连接芯片。芯片之间的通信通过中介层上的电路进行。FOWLP 工艺还可以产生一种被称为2.5D eWLB的创新过渡技术，在这种技术中，使用薄膜扇出型结构来实现高密度互连。长电 科技 的硅级集成产品组合包括：
2.5D / 扩展 eWLB - 长电 科技 基于 eWLB 的中介层可在成熟的低损耗封装结构中实现高密度互连，提供更高效的散热和更快的处理速度。3D eWLB 互连（包括硅分割）是通过独特的面对面键合方式实现，无需成本更高的 TSV 互连，同时还能实现高带宽的 3D 集成。基于 eWLB 的中介层简化了材料供应链，降低了整体成本，为客户提供了一个强大的技术平台和路径，帮助客户将器件过渡到更先进的 2.5D 和 3D 封装。
MEOL集成的2.5D封装 - 作为首批在2.5D 封装领域拥有成熟 MEOL TSV 集成经验的 OSAT 之一，长电 科技 在这个新兴互连技术领域扮演着重要角色，专注于开发经济高效的高产量制造能力，让 TSV 成为具有商业可行性的解决方案。长电 科技 还与众多的客户、研究机构和领先代工厂开展协作，为集成式 3D 封装解决方案开发有效的商业模式。
2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器
长电 科技 为以下封装选项提供晶圆级技术：
• eWLB（嵌入式晶圆级球栅阵列）
• eWLCSP（包封晶圆级芯片尺寸封装）
• WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）
• IPD（集成无源器件）
• ECP（包封芯片封装）
• RFID（射频识别）
当今的消费者正在寻找性能强大的多功能电子设备，这些设备不仅要提供前所未有的性能和速度，还要具有小巧的体积和低廉的成本。这给半导体制造商带来了复杂的技术和制造挑战，他们试图寻找新的方法，在小体积、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。长电 科技 在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面处于行业领先地位，提供的解决方案包括扇入型晶圆级封装 (FIWLP)、扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、集成无源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封装 (ECP)、射频识别 (RFID)。
突破性的 FlexLineTM 制造方法
我们的创新晶圆级制造方法称为 FlexLineTM 方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。FlexLine 制造方法是不同于常规晶圆级制造的重大范式转变，它为扇入型和扇出型晶圆级封装提供了很高的灵活性和显著的成本节省。
FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。
用于 2.5D 和 3D 集成的多功能技术平台
FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。
半导体公司不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品体积更小、速度更快、性能更高，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装对于解决这些挑战具有重大影响。当前和未来对于提高系统性能、增加功能、降低功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。
系统集成可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化子系统中，以实现更高的性能、功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。
什么是系统级封装？
系统级封装 (SiP) 是一种功能电子系统或子系统，包括两个或更多异构半导体芯片（通常来自不同的技术节点，针对各自的功能进行优化），通常搭载无源元器件。SiP 的物理形式是模块，根据最终应用的不同，模块可以包括逻辑芯片、存储器、集成无源器件 (IPD)、射频滤波器、传感器、散热片、天线、连接器和/或电源芯片。
先进 SiP 的优势
为了满足用户提高集成度、改善电气性能、降低功耗、加快速度、缩小器件尺寸的需求，以下几大优势促使业界转向先进的SiP 解决方案：
• 比独立封装的元器件更薄/更小的外形尺寸
• 提高了性能和功能集成度
• 设计灵活性
• 提供更好的电磁干扰 (EMI) 隔离
• 减少系统占用的PCB面积和复杂度
• 改善电源管理，为电池提供更多空间
• 简化 SMT 组装过程
• 经济高效的“即插即用”解决方案
• 更快的上市时间 (TTM)
• 一站式解决方案 – 从晶圆到完全测试的 SiP 模块
应用
当前，先进的 SiP 和微型模块正被应用于移动设备、物联网 (IoT)、可穿戴设备、医疗保健、工业、 汽车 、计算和通信网络等多个市场。每种先进 SiP 解决方案的复杂程度各不相同，这取决于每种应用需要的元器件的数量和功能。
以下是高级 SiP 应用的一些示例：
根据应用需求和产品复杂度，我们提供多种先进 SiP 配置，从带有多个有源和无源元件、通过倒装芯片、引线键合和SMT进行互连的传统2D 模块，到更复杂的模块，如封装内封装 (PiP)、层叠封装 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解决方案。先进的SiP 模块配置 (2D/2.5D/3D) 针对特定终端应用进行定制，旨在充分发挥它们的潜在优势，包括性能、成本、外形尺寸和产品上市时间 (TTM)。
在倒装芯片封装中，硅芯片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上，提供密集的互连，具有很高的电气性能和热性能。倒装芯片互连实现了终极的微型化，减少了封装寄生效应，并且实现了其他传统封装方法无法实现的芯片功率分配和地线分配新模式。
长电 科技 提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低成本创新选项。长电 科技 的丰富倒装芯片产品组合包括：
FCBGA 和 fcCSP 都使用锡球来提供第二级 (BGA) 互连。
颠覆性的低成本倒装芯片解决方案：fcCuBE
长电 科技 还提供名为“fcCuBE ”的创新低成本倒装芯片技术。fcCuBE 是一种低成本、高性能的先进倒装芯片封装技术，其特点是采用铜 (Cu) 柱凸块、引线焊接 (BOL) 互连以及其他增强型组装工艺。顾名思义，fcCuBE 就是采用铜柱、BOL 和增强工艺的倒装芯片。fcCuBE 技术适用于各种平台。自 2006 年获得首个与 fcCuBE 相关的创新 BOL 工艺专利以来，长电 科技 投入大量资金，将这一变革性技术发展成为引人注目的倒装芯片解决方案，广泛应用于从低端到高端的移动市场以及中高端消费和云计算市场的终端产品。
fcCuBE 的优势是推动来自成本敏感型市场，如移动和消费类市场，以及网络和云计算市场的客户广泛采用这种封装，因为在这些市场上，布线密度和性能的增加是必然趋势。fcCuBE 的独特 BOL 互连结构可扩展到非常细的凸块间距，实现高 I/O 吞吐量，同时缓解与应力相关的芯片与封装之间的交互作用 (CPI)，而这种现象通常与无铅和铜柱凸块结构相关。这对于中高端的网络和消费类应用而言尤其重要。
长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务
凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式服务方面独具优势。长电 科技 提供从涉及到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。
焊线形成芯片与基材、基材与基材、基材与封装之间的互连。焊线被普遍视为最经济高效和灵活的互连技术，目前用于组装绝大多数的半导体封装。
长电 科技 的多种封装方法都采用焊线互连：
铜焊线
作为金线的低成本替代品，铜线正在成为焊线封装中首选的互连材料。铜线具有与金线相近的电气特性和性能，而且电阻更低，在需要较低的焊线电阻以提高器件性能的情况下，这将是一大优势。长电 科技 可以提供各类焊线封装类型，并最大程度地节省物料成本，从而实现最具成本效益的铜焊线解决方案。
层压封装
基于层压的球栅阵列 (BGA) 互连技术最初推出的目的是满足高级半导体芯片不断增长的高引线数要求。BGA 技术的特点是将引线以小凸块或焊球的形式置于封装的底面，具有低阻抗、易于表面安装、成本相对较低和封装可靠性高等特点。长电 科技 提供全套的基于层压的 BGA 封装，包括细间距、超薄、多芯片、堆叠和热增强配置。
除了标准层压封装之外，长电 科技 还提供多种先进堆叠封装选项，包括一系列层叠封装 (PoP) 和封装内封装 (PiP) 配置。
引线框架封装
引线框架封装的特点是芯片包封在塑料模塑复合物中，金属引线包围封装周边。这种简单的低成本封装仍然是很多应用的最佳解决方案。长电 科技 提供全面的引线框架封装解决方案，从标准引线框架封装到小巧薄型热增强封装，包括方形扁平封装 (QFP)、四边/双边无引脚、扁平封装 (QFN/DFN)、薄型小外型封装 (TSOP)、小外形晶体管 (SOT)、小外形封装 (SOP)、双内联封装 (DIP)、晶体管外形 (TO)。
存储器器件
除了增值封装组装和测试服务之外，长电 科技 还提供 Micro-SD 和 SD-USB 这两种格式的存储卡封装。Micro-SD 是集成解决方案，使用 NAND 和控制器芯片，SD-USB 则是裸片和搭载 SMT 元器件的预封装芯片。长电 科技 的存储卡解决方案采用裸片级别组装、预封装芯片组装，或者两者结合的方式。
全方位服务封装设计
我们在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供最能满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。长电 科技 的全方位服务封装设计中心可以帮助客户确定适用于复杂集成电路的最佳封装，还能够帮助客户设计最适合特定器件的封装。
2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器
MEMS and Sensors
随着消费者对能够实现传感、通信、控制应用的智能设备的需求日益增长，MEMS 和传感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成为一种非常关键的封装方式。MEMS 和传感器可广泛应用于通信、消费、医疗、工业和 汽车 市场的众多系统中。
传感器
传感器是一种能够检测/测量物理属性，然后记录并报告数据和/或响应信号的装置或系统。传感器通常组装在模块中，这些模块能够基于模拟或传感器馈送信号来作出响应。传感器有很多不同的类型和应用，例如压力传感器、惯性传感器、话筒、接近传感器、指纹传感器等
微机电系统 (MEMS)
MMEMS 是一种专用传感器，它将机械和电气原件通过分立或模块方式组合起来。MEMS是典型的多芯片解决方案，例如感应芯片与专用集成电路 (ASIC) 配对使用。MEMS 器件可以由机械元件、传感器、致动器、电气和电子器件组成，并置于一个共同的硅基片上。在消费、 汽车 和移动应用中使用基于 MEMS 的传感器具备一些优势，包括体积小、功耗低、成本低等。
集成一站式解决方案
凭借我们的技术组合和专业 MEMS 团队，长电 科技 能够提供全面的一站式解决方案，为您的量产提供支持，我们的服务包括封装协同设计、模拟、物料清单 (BOM) 验证、组装、质量保证和内部测试解决方案。长电 科技 能够为客户的终端产品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解决方案。我们的创新集成解决方案能够帮助您的企业实现 MEMS 和传感器应用的尺寸、性能和成本要求。
1. 嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) - 单芯片、多芯片和堆叠的层叠封装配置
2. 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) - 非常小的单芯片
3. 倒装芯片芯片尺寸封装 (fcCSP)- 单芯片或多芯片的倒装芯片配置
4. 细间距球栅阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
5. 接点栅格阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
6. 四边扁平无引脚 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务
凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式处理方面独具优势。长电 科技 提供从设计到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。
全方位一站式解决方案的优势
• 缩短产品上市时间
• 提升整体流程效率
• 提高质量
• 降低成本
• 简化产品管理
长电 科技 位于中国、新加坡、韩国和美国的全球特性分析团队，致力于为全球客户提供先进的封装表征服务，确保客户拥有高质量、高性能、可靠和高性价比的封装设计，以满足他们的市场需求。
晶圆凸块技术可以在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和成本优势。晶圆凸块是一种先进的制造工艺，在切割之前就在半导体晶圆表面形成金属焊球或凸块。晶圆凸块实现了器件中的芯片与基材或印刷电路板之间的互连。焊球的成分和尺寸取决于多种因素，例如半导体器件的外形尺寸、成本以及电气、机械和热性能要求。
长电 科技 在晶圆凸块的众多合金材料和工艺方面拥有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球和电镀技术。我们的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆凸块和再分配，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。
长电 科技 的认证质量测试中心，提供多种可靠性试验，包括环境可靠性测试、使用寿命可靠性测试、板级可靠性试验，和全方位的故障分析服务。
封测市场高景气，公司治理和业务协同不断强化，业绩实现高速增长： 公司 2020 年归母净利润同比+1371.17%，业绩实现高速增长，主要得益 于公司进一步深化海内外制造基地资源整合、提高营运效率、改善财务 结构，大幅度提高了经营性盈利能力。2020 年，公司海外并购的新加坡 星科金朋实现营业收入 13.41 亿美元，同比增长 25.41%，净利润从 2019 年的亏损 5,431.69 万美元到 2020 年的盈利 2,293.99 万美元，实现全面 扭亏为盈。另外，收购后，子公司长电国际利用星科金朋韩国厂的技术、 厂房等新设立的长电韩国工厂（JSCK）在 2020 年实现营业收入 12.35 亿美元，同比增长 64.97%；净利润 5,833.49 万美元，同比增长 669.97%。 2021 年第一季度，公司业绩延续高增长趋势，归母净利润同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，净利率 5.76%，同比+3.41pct。
公司可为客户提 供从设计仿真到中后道封测、系统级封测的全流程技术解决方案，已成 为中国第一大和全球第三大封测企业。公司产能全球布局，各产区的配 套产能完善，随着产能利用率的持续提升，公司生产规模优势有望进一 步凸显，同时，各产区互为补充，各具技术特色和竞争优势，完整覆盖 了低、中、高端封装测试领域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封装等先进封 装领域优势明显。公司聚焦 5G 通信、高性能计算、 汽车 电子、高容量 存储等关键应用领域，大尺寸 FC BGA、毫米波天线 AiP、车载封测方 案和 16 层存储芯片堆叠等产品方案不断突破，龙头地位稳固。
用户资源和 高附加价值产品项目，加强星科金朋等工厂的持续盈利能力。目前，公 司国内工厂的封测服务能力持续提升，车载涉安全等产品陆续量产，同 时，韩国厂的 汽车 电子、5G 等业务规模不断扩大，新加坡厂管理效率 和产能利用率持续提升，盈利能力稳步改善。随着公司各项业务和产线 资源整合的推进，公司盈利能力有望持续提升，未来业绩增长动能充足。
华为芯片尝试换道超车，对芯片堆积展开探索，这项芯片堆积技术是很有可行性的，目前台积电、三星、英特尔都已经正在跟进，它能够使得和芯片性能大大提升，不过要安装在容积较大的设备当中。
在芯片领域华为也下足了苦功夫，自己研究芯片十几年都得益于其旗下的一个海思半导体部门，而从这个部门当中可以获得许多智能等领域的芯片成果，我们都知道海思它只是一个设计芯片的部门并不具备制造能力，所以目前正在尝试弯道超车，想要运用芯片堆叠的技术来实现去西方卡脖子的现状。在芯片设计能力方面海思在全球可以说也有一席之地，因为他独立完成了5G 麒麟9000的研发，同时在片堆叠技术当中，华为总部希望该部门能够再接再厉为弯道超车提供一个更大的方向。
华为芯片尝试弯道超车，对芯片堆叠展开探索和芯片堆叠技术是很有可行性的，能够很大程度提高芯片的使用性能，但是其中最重要的是芯片的封装工艺。
所谓的芯片堆叠其实就是很简单，将两颗芯片堆放在一起进行使用，但是它会牺牲一部分芯片的面积，想要在智能手机上使用有一点，因为其需要更大的容积，在芯片封装工艺方面，台积电做的比较好，而且技术也十分先进，其对十纳米以下芯片进行封装已经达到了完美的级别，目前正在英伟达进行合作。华为尝试换道超车，芯片堆叠技术很有可行性，而且也将成为未来的趋势。
目前三星和台积电都在探索芯片三纳米级别，而三星已经实现了三纳米芯片的量，那么再往后几年大家共同探索的将是二纳米甚至是更高级的一纳米技术，上升一个层次将要运用更多的材料和技术，而且难度会更高，所以目前芯片堆叠技术能够适应现阶段科技的发展。希望我国的相关研发部门能够在芯片堆叠技术方面有很大成果，同时在芯片研发制造方面也不负国人所望。
饱经苦难的中华民族，从1978年改革开放，到2014年以购买力平价计算，我们GDP成为全球第一，美国从未停止对我们中华民族实现伟大复兴的疯狂打压，到现在升级为全领域的生死之战，因为我们威胁到了盎格鲁撒克逊民族200多年的世界殖民和霸权统治。
历史 的车轮滚滚向前，今天，我们中华民族站在了这个实现伟大复兴的 历史 拐点上，面对百年未有之大变局，我们立足过去、现在、未来三个不同时期，从经济自信的角度，全面解读中美对抗——这场关系到全人类命运的大决战。
30年狂奔，多少辛酸泪
1978年，一位伟大的老人站在南海边，大手一挥，为中华民族指明了未来两百年的道路；2001年，中国正式加入WTO，承接欧美低端制造产业链；8年后，我们终于完成了轻工业全门类产业链建设和原始财富积累。
这飞奔的30年，是三代中华儿女的奋斗史，也是无数有志之士的墓志铭，前行路上的每一个脚印，都夹杂着整个民族的血与泪。
你很难想象，30年前，中国经济与印度相差无几。有工人吃不起饭，去菜市场捡烂叶子，有丈夫骑自行车送妻子去特殊场所上班，晚上再偷偷接回来。这些都不是故事，这是一段段真实而又残酷的 历史 。
2008年由美元引发了全球金融风暴。美国疯狂印钞、收割全球，转嫁国内风险。也就是从这一年开始，为了抵御美元收割，增加经济的抗风险能力，中国确立了经济结构的三驾马车：内需消费、投资和出口。
自此，内需消费成为新的增长极。外贸从2008年GDP占比的60%—70%，降到2021年不足30%。一个新的时代向我们走来，互联网经济时代。
互联网经济成就了无数中小微企业，也让无数年轻人有了创业的机会。同时，也催生了一批新的中产阶级，扩大了中国的消费市场。
双十一、直播带货、成交额，各种“数据”让人应接不暇。热闹过后，一批隐患的种子也被悄悄种下。
经济的底层逻辑是产业结构，如果我们将产业结构比作一个三角形，最上面是国家税收，底下一边是从业人员，另一边是企业。这三个环节互相影响，只有提升产业结构的溢价空间，形成良性循环，经济才能高速发展。
我们把互联网电商企业套到上面的三角形里，结果一目了然。
互联网电商企业用价格作为竞争手段，加上低门槛的低端制造产业链，严重挫伤了刚刚起步的民族品牌价值经济。
低价竞争的恶果就是：供应商的毛利润只有3%。这就好比一个长工吃糠咽菜，起早贪黑好些年，才攒下碎银几两；而你往院里看，人家地主酒足饭饱，翘着二郎腿，每天躺椅上哼哼小曲，赚他个盆满钵满。
从业人员不挣钱，民族企业发展不起来，国家税收也上不去，产业结构的金三角，塌了！
截止于2019年，高价值溢出产业模式（CVO）占据GDP的18%，其中99%都是国外品牌，这意味着中国每年有超过10万亿的消费经济，被境外资本掠夺。
劈波斩浪，在暴风雨中扬帆起航
产业升级已是迫在眉睫，国家也出台各项政策，引导我们从产业链的中低端走向高精尖。但是，这条路上注定会布满荆棘。
2018年3月，特朗普政府首次对华加征关税；8月，美国以国家安全和外交利益为由，将44家中国企业列入出口管制实体清单。截止到当下，共有383家中国企业和相关单位受到美国制裁，累计制裁措施超过3900项，相当于每天要挥舞3次"制裁大棒"。
枉顾真相、热衷煽动、大搞“双标”，如此蛮夷行径，我们该怎么应对？范勇鹏给出了答案：“让我们自己成为更强更高的标准，以文明的标准战胜‘盗贼之谋’。”
外面狂风骤雨，中国这艘巨轮依旧在劈浪前行。
任正非、张汝京、王传福、汪滔、潘建伟，他们在各自的领域披荆斩棘，引领了一大批优秀民族企业的成长。这些人不畏险阻，突破重重障碍，既赢得了国人尊重，也成就了各产业领域在世界舞台上的突围。
工业智能技术、场景感知技术、物联网系统技术、人机场景交互语言技术、半导体产业技术、量子通讯与量子计算、新能源……这些支撑第四次工业革命的技术领域，就像一块块甲板，共同拼起了中国这艘巨轮，他们是国人的骄傲，每一个名字都值得我们铭记。
工业智能技术
以大疆、华为、海尔、三一重工等为代表。
大疆，全球最大的民用无人机制造商，占据了全球80%的消费级无人机市场，掌握着70%以上的专利技术。大疆也是当今唯一一家垄断全球市场的中国企业，他们以一流技术向世界重新诠释了“中国制造”的含义。
物联网系统技术
以华为、中兴通讯、海康威视为代表。
华为，近十年投入超过8000亿的科研资金，在全球布局26个研究所，拥有700多位数学家、800多位物理学家、120多位化学家，用国际资源进行国际竞争。十年时间，不断在万物智联领域开花结果。
5G专利技术已经做到全球第一，华为为推动中国物联网产业发展，提升传输效率，目前仍在6G领域继续发力。
鸿蒙系统作为全球唯一的物联网系统，不仅打破了车联网、PC端、移动端的系统壁垒，而且打破了人机交互的场景语言技术屏障。中国移动端芯片制造问题一旦解决，我们将会被鸿蒙系统带入物联网时代。而这也意味着华为的功绩已经突破技术本身，更是帮助煤矿产业、国家智慧基建、港口和远洋贸易、新能源等领域，完成产业升级。在新智慧语言领域，华为也投入了大量研发资金，以期由中国人开启第五次工业革命：强人工智能时代。
人机场景交互技术
以科大讯飞、中科曙光、汇顶 科技 为代表。
科大讯飞，用22年的时间，在全球126个国家里，攒下了整整3234项专利！除了拿下了全球专利，科大讯飞还将自己的竞争影响力施加到了美国。不仅卡住了老美的脖子，还曾拿下美国大赛中22个智能技术项目上的所有冠军。
半导体产业技术
以中芯国际、华为、紫光展锐、海思、中兴微为代表。
中芯国际在张汝京、江上舟、邱慈云、梁孟松等一代代有志之士的接力下，用3年时间，将中国芯片制造水平拉快了30年。
2019年，中芯国际将14nm制程正式量产，良品率从3%飙升到95%以上；一年后，28nm、14nm、12nm，以及N+1技术均已进入规模量产，7nm技术的开发已经完成，5nm和3nm技术也在有序展开。
据最新消息，华为在芯片堆叠封装和设备上又取得了重大突破，我们可以预见，中国大陆半导体行业在华为和中芯国际这簇星星之火的带领下，将呈现出燎原之势。
量子通讯和量子计算技术
以国盾量子、问天量子、中创为量子、神州量子为代表。
国盾量子，牵头多项量子通信领域的国际、国内标准，已将量子通讯技术应用在了金融、云服务、电力、工程、卫星等各领域，凭借这些壁垒，我们拥有了在量子通讯领域的绝对话语权，也正是因为这一道道壁垒的存在，我们才可以无比自豪地说，目前全世界真正能够实现量子通信大规模应用落地的国家，只有中国。
新能源技术
以比亚迪、宁德时代、隆基股份、通威股份为代表。
2022年2月，比亚迪全球销量达到了87906辆，成功打败电动巨头特斯拉，登顶全球新能源乘用车销量榜首。
作为一家重视自主研发的技术企业，比亚迪开发了独创刀片式动力电池、自主研发DM-i超级混动系统以及e平台3.0组成的核心技术。凭借过硬的实力，比亚迪·汉成功登陆欧洲，大受欢迎。比亚迪智慧公交也穿行在欧美世界多年，以中国速度同欧美一众 汽车 企业争夺全球的中高端市场。
华为作为 汽车 产业上最低调的大佬，过去十几年为全球几千万辆 汽车 提供车联网模块，在新能源赛道上，华为为奔驰、宝马、大众等一众新能源车企提供标准化的电机电控技术。刚刚，华为发布了全世界第一款达到L4级别无人驾驶技术的物联网 汽车 ，作为全球无人驾驶领域专利世界第一的华为，也是石墨烯材料领域的先行者，中国新能源 汽车 在华为物联网和石墨烯技术的带领下，实现 汽车 产业的弯道超车指日可待。
华为任正非，78岁，中芯国际张汝京，74岁，时光染白了他们的头发，却改变不了那颗滚烫的赤子心。作为中国 科技 圈的精神脊梁骨，他们的精神在传承，我们也看到了孟晚舟、汪滔这样杰出的后辈，正手举接力棒，迈向下一段征程。
未来已来，让世界进入“中国时代”
正因为有民族企业顶着万难前行，才让我们成为物联网时代唯一具有全域技术能力的国家；作为拥有全球最大消费市场的中国民族品牌产业，哪怕它在互联网电商的价格战和国外品牌的联合绞杀下步履维艰，但它终究会取代低溢价的传统电商，成为中国最大的消费产业。
在未来15年内，我们将有机会见证民族品牌消费产业、物联网和以中国文化为底色的十万亿级的IP产业经济，共同支撑100万亿的GDP增量空间。
这就是我们的经济自信，也是我们打赢这场与盎格鲁撒克逊人种的世纪之战的底气。
每一次工业革命都改变了世界格局，而每一次缺席我们都付出了沉重代价。
第一次缺席，鸦片战争爆发，中国领土、领海、司法、关税、贸易等主权遭到严重破坏 。
第二次缺席，日本开始侵占中国，战火在我们深爱的这边土地上燃烧了整整14年，超过3500万中国军民伤亡，给全民族留下难以磨灭的创伤。
第三次工业革命，我们依然没跟上，这使得我们夹在美苏两个大国之间，30年战战兢兢，发展始终举步不前。
落后就要挨打，看看今天的东南亚，哪个不是欧美国家砧板上的鱼肉，圈舍里待宰的羔羊。说白了，没有主权哪来的话语权？没有实力只能跪着求生存。
过去，我们因缺席而被欺凌，现在，面对美国在谈判桌上的颐指气使，我们有底气说：“你们没有资格在中国的面前说，你们从实力的地位出发同中国谈话。”
从这一刻起，我们吹响了由守转攻的号角！
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