ge和si是什么带隙半导体

ge和si是间接带隙半导体。直接带隙半导体（Directgapsemiconductor）的例子：GaAs、InP半导体。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

作为半导体的硅，不是纯硅单质，而是参合进去一些微量的杂质原子，四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。也就可以简单的认为是有了电子。

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