用于半导体的元素在周期表什么位置

由A～I在元素周期表中的位置可知：A是H、B是He、C是C、D是N、E是O、F是F、G是Na、H是Al、I是Si、J为Cl， （1）以上10种元素中，可用于半导体材料的为Si，其核外电子总数为14，位于周期表中第3周期ⅣA族， 故答案为：Si；第3周期ⅣA族； （2）A为H、G为Na，二者与O元素都能形成两种化合物：Na 2 O、Na 2 O 2 、H 2 O、H 2 O 2 ，其中含有离子键属于离子化合物的是Na 2 O、Na 2 O 2 ，属于共价化合物的是H 2 O、H 2 O 2 ；这四种化合物中含有非极性键的化合物是H 2 O 2 、Na 2 O 2 ， 故答案为：Na 2 O、Na 2 O 2 ； H 2 O、H 2 O 2 ；H 2 O 2 、Na 2 O 2 ； （3）以上元素中，金属性正确的为Na，则最高价氧化物对应水化物的碱性最强的为NaOH；Al（OH） 3 为两性氢氧化物，既能够与酸反应，用与强碱溶液反应， 故答案为：NaOH； Al（OH） 3 ； （4）只含有A、C两种元素的化合物称做烃，烃类化合物中相对分子质量最小的是甲烷，甲烷分子的空间构型是正四面体， 故答案为：烃；甲烷；正四面体； （5）Al原子的核电荷数、核外电子总数都是13，其原子结构示意图为： ； 元素H与元素J组成的化合物为氯化铝，氯化铝的水溶液中加入少量烧碱溶液反应生成氢氧化铝沉淀，反应的离子方程式为：Al 3+ +3OH - =Al（OH） 3 ↓， 故答案为： ；Al 3+ +3OH - =Al（OH） 3 ↓； （6）A、D、J分别为H、N、Cl，三者都是非金属元素，它们组成的离子化合物中一定含有铵根离子，则该化合物为：NH 4 Cl， 故答案为：NH 4 Cl．

在元素周期表中金属和非金属的分界处,可以找到半导体材料,如硅、锗、镓等

另外还有半导体的特性：

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：

（1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系.温度升高,半导体的电阻率会明显变小.例如纯锗（Ge）,温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半.

（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感,无光照时,不易导电；受到光照时,就变的容易导电了.例如,常用的硫化镉半导体光敏电阻,在无光照时电阻高达几十兆欧,受到光照时电阻会减小到几十千欧.半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”.利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等.

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管,它通过电流时能够发光,把电能直接转成光能.目前已制作出发黄,绿,红,蓝几色的发光二极管,以及发出不可见光红外线的发光二极管.

另一种常见的光电转换器件是硅光电池,它可以把光能直接转换成电能,是一种方便的而清洁的能源.

（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高,但掺入极微量的“杂质”元素后,其导电能力会发生极为显著的变化.例如,纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米.因此,人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素,精确控制它的导电能力,用以制作各种各样的半导体器件.

大多数类金属都可以。比较常见的有硅(Si)、锗(Ge)、镓(Ga)等。其中硅和锗一般使用其单质，而镓则使用其砷化物砷化镓(GaAs)作为半导体材料。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，禁带宽度是1.4电子伏。不过砷化镓也有不足之处，即其热稳定性不好，高温分解，限制了其普及运用。

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