三极管饱和压降Vce（sat）是什么意思？

三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。

三极管的的工作点进入饱和区，三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解：三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处于饱和状态（Q1）；三极管完全推动放大作用时三极管处于深度饱和状态（Q3）。

关于三极管的饱和压降Vce（sat）是有重要条件的，就是在一定的IB和IC的条件下的Vce（sat）。

在三极管的参数表给出的数据也是在一定条件下的数值（图中是S8050的Vce(sat)的数据）：

在图中还可以看出，当负载电阻很大（ic很小时）Vce(sat)的数值就很小，甚至小于0.1V。

vbe为基级与发射级间电压；

vce为发射级与集电极间电压。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

HFE：H指"h"参数模型，F指"f"orward current gain，E指common "e"mitterHFE是共射条件下H参数模型正向导通时的电流增益Vce(sat)：Ic的产生与CE两极之间的电场强度有关，由于电子在半导体中的运动有限，当Vce增大到一定程度以后，Ic不再增加，也就是进入了饱和区，继续增大Vce，会导致击穿。在这里，Vce(sat)是指达到饱和区所需的CE间最小电压值。Vbe(sat)：BE间的电压决定Ie的大小，就像自来水的水阀，Ie与Vbe成e指数关系，一般情况下Vbe视为常量，若强行增大，则Ie成指数增长，三极管就烧了。在这里，Vbe是可以当作一个常量，用来求电流。

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