三星LPDDR5X内存即将到来 比LPDDR5快约1.2倍

近日，三星半导体官方微博宣布，三星首款基于14nm的LPDDR5X内存已在高通骁龙移动平台上验证使用。

自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5XDRAM以来，三星与高通技术公司合作，优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于骁龙移动平台。

三星表示，LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5（6.4Gbps）快约1.2倍，有望在下一代智能手机上提升超高分辨率视频录制性能和语音识别、图像识别、自然语言处理等人工智能功能。

此外，三星LPDDR5X内存采用先进的电路设计和动态电压频率缩放，功耗可降低约20%。

三星半导体执行副总裁兼内存全球销售和营销负责人JinmanHan表示：LPDDR5X解决方案在高通技术公司骁龙移动平台上的成功验证，证明了我们在DRAM技术方面的先进地位。

预计这种高性能、低功耗内存的应用将从智能手机扩展到数据中心、个人电脑和 汽车 ，使越来越多的设备和系统得以更高的效率运行。

高通技术公司产品管理副总裁ZiadAsghar表示：高通在启用和采用最新的LPDDRDRAM规格方面是行业专家。在骁龙平台上使用LPDDR5X，用户在使用移动端 游戏 ，相机，应用程序的过程中，能够通过各种高通技术结合的最新AI引擎，感受新的特色和改善的性能，进一步增强移动体验。

为了更好地满足对高端DRAM解决方案日益增长的需求，三星将继续追求低功耗DRAM产品的开发，提供更高的性能和更大的容量，以支持不断更新的下一代系统。你期待这款产品吗？欢迎在评论区留言评论，说出你的看法。

中韩通讯社 韩国金禅子

三星电子8月30日表示，建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。

三星电子表示，“以量产D-RAM产品为起点，平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线，成为高 科技 综合生产工厂，为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。

为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求，三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线，并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。

三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后，开始投资建造平泽2号工厂。

继平泽1号工厂之后，预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人，包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内，共将创造3万多个就业岗位。

平泽1号工厂从2015年动工，占地289万平方米，2017年6月投产。

平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示，这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度，是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。

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