baking在半导体扩散中的作用和影响

SiC材料是一种疏松多孔的材料，很容易储藏一层水汽等，如果有水汽的话，你的drive in 和diffusion就难以控制了。当应用于高温drive in和LPCVD Poly等工艺时，SiC材质还需要CVD coating。温度为1100以上，时间根据你是否刚清洗完或日常处理而定

扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氢氧合成）两种，扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备，它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。

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