陈星弼的人物经历

1931年1月28日，陈星弼出生在一个官宦之家，祖籍浙江省浦江县青塘镇。祖父曾为清朝武举人，父亲陈德徵因家庭贫穷靠勤工俭学就读于杭州之江大学化学系。母亲徐呵梅是浙江余姚人，由于小时聪颖过人，外祖父不仅特许不缠小脚，还允许读书，直至进入上海大学读文学。五四运动时，陈星弼的父亲成了杭州学生领袖之一，从此进入政界，也曾算得一个红人。但不久得罪于蒋介石，被摘了乌纱帽，且被软禁。这时陈星弼出生了，因此取有小名“难儿”。陈星弼3岁时，眼见哥哥姐姐上学，吵嚷着要读书，居然获得特许，进了小学。此后，父母年年劝其留级，他却能坚持着学下去。6岁时，日寇侵华烽火蔓至上海，他随父母先迁至余姚，后又至浦江，最后辗转到重庆。不久，为躲避日机轰炸，举家迁到合川。他从8岁开始就离家在乡下小学住宿，养成了能吃苦和独立生活的习惯，也深受抗日救国的思想教育。

小学毕业时，他成绩名列前茅。抗战时生活极为艰苦，他也曾想停止读正规学校，早点谋出路。但父亲因宦海沉浮之经历，坚持让他继续读书，学到科学技术而为国家做实事。再加上他一直进的是国立中学，包括生活费在内一概公费，因此没有中断学习。

家庭对他最大的影响是，学问必须靠自己努力取得。当抗战胜利第二年他从内地转读上海敬业中学时，许多功课都很吃力。但有一天教物理的居小石老师突然向全班说：“你们都应该向陈星弼学习。他的习题明显都是自己一人做的。不管做得错或对，都有他特别的做法，而且愈做愈好。”他还鼓励陈星弼一辈子要做傻瓜(老实人)。老师的这些话使陈星弼受用一辈子。

1947年，他考取了同济大学电机系，并获得奖学金。他的学习从来不拘一格。人在电机系，却去旁听物理系及机械系的课，而工程力学及画法几何又学得比电机系的主要课程还好。他学过小提琴，而且能背出许多古典交响乐的曲谱。他也看过唯心主义的哲学书籍，以致在新中国成立后他经过一番艰难思想斗争才接受了唯物主义。他对别人说，他相信自己的唯物主义思想比较牢固，因为这是经过斗争得来的。

1952年毕业于同济大学电机系。电子科技大学教授。

1952年大学毕业后，他被分配到厦门大学电机系当助教。第二年，遇二次院系调整，转到南京工学院无线电系。在那里，他辅导了几年电工基础课。

1956年，党中央号召向科学进军。当时他已被指定到新成立的成都电讯工程学院(简称“成电”，现电子科技大学)去工作，同时也给了他进修新学科的机会。他选择了到中国科学院应用物理研究所进修半导体。这一决定确定了他以后的发展方向。他在该所两年半的时间内，一边工作，一边自学了从物理系四大力学到半导体有关的专业课，写出了当时才出现的漂移晶体管中关于存储时间的论文。该文后来出现在Prichard著书的参考文献中，由此可知是该方面最早的工作。

1959年，他回到成电。改革开放前，由于家庭出身原因，他始终是受命去教书。他认为要教好书，不仅要把所教内容融会贯通，还要考虑学生如何能最好地接受。他甚至为讲一句话或一段话都要事先琢磨很久。因此他上课时不需讲稿，只带一张香烟盒大小的纸，写一点备忘纲要即可，他的教课深受学生称道。教书也使他自己打下了更好的科学基础。

1970年，国家电视攻关中，他被派往工厂支援研制氧化铅摄像管，得知国外已研制硅靶摄像管，建议研制这种新摄像管并获四机部批准。但是好景不长，才初见该管可出图像，他就被首批点名去五七干校劳动，直至爱人病发而调回。

1980年，他被派往美国俄亥俄州大学做访问学者，但因专业不吻合，于1981年初转到加州大学伯克利点校，开始进行新型半导体功率器件的研究。1983年回国后被选为系主任，不久建立了微电子研究所。他为了国家及本单位的需要，彻底放弃了从事基础物理的念头，以MOS型功率器件为主要研究方向。在他率领下，在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件并开发了相关技术。

1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。

1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。

1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电器工程系客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。

1993年后，他从事功率集成电路的研究。在10年前有人提出过将半导体微电子电路与功率器件同时做在一块芯片上会带来容易实现各种保护及控制的好处。由于世界上有近四分之三的电能是通过半导体功率器件来转换其形式后才可以使用的，因此国外有人预言做在一块芯片上会引起所谓“第二次电子革命”。它和集成电路的发展引起的信息时代的到来——又被称做第一次电子革命，有同样的重要性。但是国际上制造的功率集成电路采用了复杂的工艺，而且电学性能不够好，造成其性能价格比甚低，从而第二次电子革命的进展甚慢。他的两个表面耐压层结构的新发明解决了在普通集成电路上做功率器件的问题，不仅制造功率器件的工艺与普通集成电路的工艺全兼容，而且所做功率器件电学性能特别优良，阻碍第二次电子革命迅速发展的桎梏也将会因此而被打破。他最大的希望是这个成就在中国开花结果，使中国在该领域居于世界领先的地位。

1999年当选中国科学院院士。5月10日至14日，功率半导体领域最顶级的学术年会——第二十七届国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD 2015）在中国香港举行。我校陈星弼院士因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”（ISPSD 2015 Pioneer Award），成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。

五十年代末，对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析。提出新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。八十年代以来，从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。从理论上解决了提高p- n结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题，作出了一些迄今唯一的理论分析解。在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上作出了系列重要贡献。发明了耐压层的三种新结构，提高了功率器件的综合性能优值，其中横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容，有利于发展耐高压的功率集成电路。1999年当选为中国科学院院士。

2017年中国半导体封装测试技术与市场年会已经过去一个月了，但半导体这个需要厚积薄发的行业不需要蹭热点，一个月之后，年会上专家们的精彩发言依然余音绕梁。除了“封装测试”这个关键词，嘉宾们提的最多的一个关键词是“物联网”。因此，将年会上的嘉宾观点稍作整理，让我们再一起思考一下物联网时代的先进封装。

智能手机增速放缓

半导体下游市场的驱动力经历了几个阶段，首先是出货量为亿台量级的个人电脑，后来变成十亿台量级的手机终端和通讯产品，而从2010年开始，以智能手机为代表的智能移动终端掀起了移动互联网的高潮，成为最新的杀手级应用。回顾之前的二三十年，下游电子行业杀手级应用极大的拉动了半导体产业发展，不断激励半导体厂商扩充产能，提升性能，而随着半导体产量提升，半导体价格也很快下降，更便宜更高性能的半导体器件又反过来推动了电子产业加速发展，半导体行业和电子行业相互激励，形成了良好的正反馈。但在目前， 智能手机的渗透率已经很高，市场增长率开始减缓，下一个杀手级应用将会是什么？

物联网可能成为下一个杀手级应用

根据IHS的预测，物联网节点连接数在2025年将会达到700亿。

从数量上来看，物联网将十亿量级的手机终端产品远远抛在后面，很可能会成为下一波的杀手级应用。但物联网的问题是产品多样化，应用非常分散。我们面对的市场正从单一同质化大规模市场向小规模异质化市场发生变化。对于半导体这种依靠量的行业来说，芯片设计和流片前期投入巨大，没有量就不能产生规模效应，摊销到每块芯片的成本非常高。

除了应对小规模异质化的挑战， 物联网需要具备的关键要素还包括 ：多样的传感器（各类传感器和Sensor Hub），分布式计算能力（云端计算和边缘计算），灵活的连接能力（5G，WIFI，NB-IOT，Lora, Bluetooth, NFC，M2M…），存储能力(存储器和数据中心)和网络安全。这些关键要素会刺激CPU/AP/GPU，SSD/Memory,生物识别芯片，无线通讯器件，传感器，存储器件和功率器件的发展。

物联网多样化的下游产品对封装提出更多要求

物联网产品的多样性意味着芯片制造将从单纯追求制程工艺的先进性，向既追求制程先进性，也最求产品线的宽度发展。物联网时代的芯片可能的趋势是：小封装，高性能,低功耗,低成本,异质整合（Stacking，Double Side, EMI Shielding, Antenna…）。

汽车电子的封装需求： 汽车电子目前的热点在于ADAS系统和无人驾驶AI深度学习。全球汽车2016年产销量约为8000万台，其中中国市场产销量2800万台，为汽车电子提供了足够大的舞台。ADAS汽车系统发展前景广阔，出于安全考虑，美国NHTSA要求从2018年5月起生产的汽车需要强制安装倒车影像显示系统。此外，车道偏离警示系统（LDW），前方碰撞预警系统（FCW），自动紧急刹车系统（AEBS），车距控制系统（ACC），夜视系统（NV）市场也在快速成长。中国一二线城市交规越来越严格也使得人们对ADAS等汽车电子系统的需求提升。ADAS，无人驾驶，人工智能，深度学习对数据处理实时性要求高，所以要求芯片能实现超高的计算性能，另外对芯片和模块小型化设计和散热也有要求，未来的汽车电子芯片可能需要用2.5D技术进行异构性的集成，比如将CPU，GPU，FPGA，DRAM集成封装在一起。

个人移动终端的封装需求： 个人消费电子市场也将继续稳定增长，个人消费电子设备主要的诉求是小型化，省电，高集成度，低成本和模块化。比如个人移动终端要求能实现多种功能的模块化，将应用处理器模块，基带模块，射频模块，指纹识别模块，通讯模块，电源管理模块等集成在一起。这些产品对芯片封装形式的要求同样是小型化，省电，高集成度，模块化，芯片封装形式主要是“Stack Die on Passive”,“Antenna in SiP”,“Double Side SiP等。比如苹果的3D SiP集成封装技术，从过去的ePOP &BD PoP，发展到目前的是HBW-PoP和FO-PoP，下一代的移动终端封装形式可能是FO-PoP加上FO-MCM,这种封装形式能够提供更加超薄的设计。

5G 网络芯片的封装需求： 5G网络和基于物联网的NB-IOT网络建设意味着网络芯片市场将会有不错的表现。与网络密切祥光的大数据，云计算和数据中心，对存储器芯片和FPGA GPU/CPU的需求量非常大。通信网络芯片的特点是大规模，高性能和低功耗，此外，知识产权（IP）核复杂、良率等都是厂商面临的重要问题。这些需求和问题也促使网络芯片封装从Bumping &FC发展到2.5D，FO-MCM和3D。而TSV技术的成功商用，使芯片的堆叠封装技术取得了实质性进展，海力士和三星已成功研发出3D堆叠封装的高带宽内存（HBM），Micron和Intel等也正在联合推动堆叠封装混合存储立方体（HMC）的研发。在芯片设计领域，BROADCOM、GLOBAL FOUNDRIES等公司也成功引入了TSV技术，目前已能为通信网络芯片提供2.5D堆叠后端设计服务。

上游晶圆代工厂供应端对封装的影响

一方面，下游市场需求非常旺盛，另外一方面，大基金带领下的资本对晶圆代工制造业持续大力投资，使得上游的制造一直在扩充产能.据SEMI估计,全球将于2017年到2020年间投产62座半导体晶圆厂，其中26座在中国大陆，占全球总数的42%。目前晶圆厂依然以40

nm以上的成熟制程为主，占整体晶圆代工产值的60%。未来，汽车电子，消费电子和网络通信行业对芯片集成度、功能和性能的要求越来越高，主流的晶圆厂中芯和联电都在发展28nm制程，其中台积电28nm制程量产已经进入第五年，甚至已经跨入10Xnm制程。

随着晶圆技术节点不断逼近原子级别，摩尔定律可能将会失效。如何延续摩尔定律？可能不能仅仅从晶圆制造来考虑，还应该从芯片制造全流程的整个产业链出发考虑问题，需要 对芯片设计，晶片制造到封装测试都进行系统级的优化。 因此， 晶圆制造，芯片封测和系统集成三者之间的界限将会越来越模糊。 首先是芯片封测和系统集成之间出现越来越多的子系统，各种各样的系统级封装SiP需要将不同工艺和功能的芯片，利用3D等方式全部封装在一起，既缩小体积，又提高系统整合能力。Panel板级封装也将大规模降低封装成本，提高劳动生产效率。其次，芯片制造和芯片封测之间出现了扇入和扇出型晶圆级封装，FO-WLP封装具有超薄，高I/O脚数的特性，是继打线，倒装之后的第三代封装技术之一，最终芯片产品具有体积小，成本低，散热佳，电性能优良，可靠性高等优势。

先进封装的发展现状

先进封装形式在国内应用的越来越多，传统的TO和DIP封装类型市场份额已经低于20%，

最近几年，业界的先进封装技术包括以晶圆级封装（WLCSP）和载板级封装（PLP）为代表的2.1D，3D封装，Fan Out WLP，WLCSP，SIP以及TSV,

2013年以前，2.5D TSV封装技术主要应用于逻辑模块间集成，FPGA芯片等产品的封装，集成度较低。2014年，业界的3D TSV封装技术己有部分应用于内存芯片和高性能芯片封装中，比如大容量内存芯片堆叠。2015年，2.5D TSV技术开始应用于一些高端GPU/CPU,网络芯片,以及处理器（AP）+内存的集成芯片中。3D封装在集成度、性能、功耗，更小尺寸，设计自由度，开发时间等方面更具优势，同时设计自由度更高，开发时间更短，是各封装技术中最具发展前景的一种。在高端手机芯片，大规I/O芯片和高性能芯片中应用广泛，比如一个MCU加上一个SiP，将原来的尺寸缩小了80%。

目前国内领先封装测试企业的先进封装能力已经初步形成

长电科技王新潮董事长在2017半导体封装测试年会上，对于中国封测厂商目前的先进封装技术水平还提到三点：

SiP 系统级封装： 目前集成度和精度等级最高的SiP模组在长电科技已经实现大规模量产；华天科技的TSV+SiP指纹识别封装产品已经成功应用于华为系列手机。

WLP 晶圆级封装 ：长电科技的Fan Out扇出型晶圆级封装累计发货超过15亿颗，其全资子公司长电先进已经成为全球最大的集成电路Fan-In WLCSP封装基地之一；晶方科技已经成为全球最大的影像传感器WLP晶圆级封装基地之一。

FC 倒装封装： 通过跨国并购，国内领先企业获得了国际先进的FC倒装封装技术，比如长电科技的用于智能手机处理器的FC-POP封装技术；通富微电的高脚数FC-BGA封装技术；国内三大封测厂也都基本掌握了16/14nm的FC倒装封装技术。

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