求工业工程前辈指导一下半导体行业ie该怎么做！

是否可以考虑从某工程产品品种交换频率做起？比如CVD每切换一次膜厚或膜种就需要进行一次样品参数确认，均匀性或膜厚，其作业成本与生产制品并无差异。由于生产批量小，所以容易导致程序切换频繁。如果将单纯的先进先出协调为整合生产，成本必然明显降低。仅供参考。

一、定义不同：

1.IE：

指的是IE工程师，industrial engineer，是从事工业工程的人。

2.PE：

指的是Process Engineer （即工艺工程师）和Product Engineer（产品工程师）。

3.PIE：

指的是工艺整合工程师，Process Integration Engineer，是半导体工业中的一种岗位名称。

二、职责不同:

1.IE：

狭义来说，即工厂里面负责调度管理人员、设备、生产物料、 *** 作方法、工厂设施的实践者。广义来说，是指运用IE手法对某个系统整体进行专业管理的工程师。

2.PE：

主要负责产品制造工艺的设计和贯彻、NPI/OI制作、Standard Time 的制订、生产流程的改善等

3.PIE：

负责提升工艺技术、提升产品质量，整合诸多个部门资源等。

扩展资料

PIE的本质在于，通过WAT电性能参数异常，追溯回去，找到生产线上的异常，并与相关人员（PE，EE等）合作，解决线上异常。

PIE与PE的最大区别在于，PIE最关心的是自己的产品的WAT电性能参数的CPK稳定性，PE最关心的是自己管的制程中各种参数的CPK稳定性，所以PIE的强项在于电性能参数和全套制程流程的结合。

PIE和PE有强烈的依存关系，PIE面对的人更加多，也更加复杂。PIE也是技术到行政上的转化，当PE只安心研究自己所负责制程的技术时，PIE还要面对客户和上司的苛刻要求。从人事上讲，一个好的PIE会保护和自己合作的PE，而PE则需要配合PIE完成各项任务。

参考资料来源：百度百科-IE工程师

参考资料来源：百度百科-pe工程师

参考资料来源：百度百科-工艺整合工程师

首先，这是一个共发射极电路，这个图能够实现工作点稳定的关键，就在于：1）使用RB1和RB2两个电阻分压(RB1=R+Rp)，而Vcc固定不变，实现了UB的电位固定。2）发射极接入电阻RE,实现了自适应调节。具体解释：1) 这里，我们需要假定（其实实际情况也基本如此）基极电流IBQ远远小于从Ucc流向RB1->RB2->地 的电流， 这样，基极电位UBQ就会近似的等于RB2/(RB1+RB2)*Ucc，从而实现了UB电位固定。2）说一下为什么温度升高会使Icq增大：半导体的载流子温度高了热运动加剧，能量大了移动快，单位时间内流过同样截面积的载流子就多了（即电流强度增大），也可以理解为势垒减小了，所以同等条件下Icq大了。现在Icq增大了，由于共发射极的Ieq = Icq+Ibq (其中Icq是最主要的成分)，所以Ieq也会增大，这会导致U（RE）=Ieq*RE 的增大，由1）里的说明，UB电位是固定的常量，那么加在发射极PN节上的电压UBEQ=UB-U（RE）就会减小。现在UBEQ减小了，这个PN节流过的电流的变化会服从二极管伏安特性曲线，电压减小，电流减小，所以UBEQ的减小会使得IBQ减小。由于ICQ = beta * IBQ, beta不变，那么ICQ也会跟着减小，从而抵消了由于温度升高导致的ICQ增大 这里，温度影响只是一方面，其他条件也有可能导致ICQ增大，这个电路都可以通过以上两点，阻碍ICQ的增大，使得电路工作点稳定。

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