简述直接带隙半导体及间接带隙半导体材料的发光过程.两者有何不同

直接带隙半导体材料形成的pn结，在正偏压下注入电子空穴对提供能量，在Lp＋Ln的区域形成电子空穴对，then复合发射光子发光，，含有等电子陷阱的间接带隙半导体也可发光，复合时发射光子能量近似等于带隙，例如磷化镓参入大量N，引进等电子陷阱，形成一个杂质带，提供大量电子

话没错,直接带隙半导体材料就容易发光,间接带隙的半导体材料不容易发光,具体去参考半导体物理.

材料本身是不会发光,这是能量守衡决定的.材料吸收外来的能量源(电能/光能均可),使价带的电子激发到导带上,然后通过辐射跃迁,发出光子.间接带隙的半导体材料在跃迁时会产生声子,严重影响发光.

结构和措施很多,但材料必须是直接带隙半导体材料.

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