少子寿命

少子寿命介绍如下：

即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。

而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。

少子寿命测试仪(HS-CLT)，是一款硅片少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。

少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。

多子和少子都是只掺杂半导体里面的载流子不掺杂的半导体成为本征半导体 里面的电子空穴是平衡的 也是一样多的掺了N型材料（一般是五族的P）的称为N型半导体 多子就是电子掺了P型材料（一般是三族的硼）的称为P型半导体 多子就是空穴

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